雷射照射裝置及薄膜電晶體的製造方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	雷射照射裝置及薄膜電晶體的製造方法
其他题名	雷射照射裝置及薄膜電晶體的製造方法
	水村通伸; 野寺伸武; 松島吉明; 田中優數; 松本隆夫; 中川英俊
	2018-06-01
专利权人	日商V科技股份有限公司
公开日期	2018-06-01
授权国家	中国台湾
专利类型	发明申请
摘要	基板上若存在退火處理間的接合部分，其被辨識為接合不均勻。本發明的雷射照射裝置包括：光源，其產生雷射光；投射透鏡，其對被玻璃基板上的複數個薄膜電晶體的各個所包覆的非晶矽薄膜的指定區域照射雷射光進行退火處理；以及投射光罩圖案，其設在投射透鏡上，並設有複數個開口部，以使雷射光被照射到複數個薄膜電晶體的各個之上，其中投射透鏡在對於玻璃基板上的指定方向的退火處理結束的情況下，移動至指定方向的正交方向後，再度對指定方向進行退火處理，投射光罩圖案於正交方向，由外側列向內側列，逐漸增加開口部的數量。
其他摘要	基板上若存在退火處理間的接合部分，其被辨識為接合不均勻。本發明的雷射照射裝置包括：光源，其產生雷射光；投射透鏡，其對被玻璃基板上的複數個薄膜電晶體的各個所包覆的非晶矽薄膜的指定區域照射雷射光進行退火處理；以及投射光罩圖案，其設在投射透鏡上，並設有複數個開口部，以使雷射光被照射到複數個薄膜電晶體的各個之上，其中投射透鏡在對於玻璃基板上的指定方向的退火處理結束的情況下，移動至指定方向的正交方向後，再度對指定方向進行退火處理，投射光罩圖案於正交方向，由外側列向內側列，逐漸增加開口部的數量。
主权项	-
申请日期	2017-11-16
专利号	TW201820731A
专利状态	申请中
申请号	TW106139791
公开（公告）号	TW201820731A
IPC 分类号	H01S5/42 \| H01L29/786
专利代理人	洪蘭心
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57662
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日商V科技股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	水村通伸,野寺伸武,松島吉明,等. 雷射照射裝置及薄膜電晶體的製造方法. TW201820731A[P]. 2018-06-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
TW201820731A.PDF（5147KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文