テンプレート支援ウェハ接合のための方法およびシステム

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	テンプレート支援ウェハ接合のための方法およびシステム
其他题名	テンプレート支援ウェハ接合のための方法およびシステム
	ダレザッセジョン; クラジュリックスティーブンビー.
	2017-06-08
专利权人	スコーピオズテクノロジーズインコーポレイテッド
公开日期	2017-06-08
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】高価なIII-V族材料を特定のデバイス機能のみに実装するシリコンフォトニックデバイスをウェハスケールで接合する方法を提供する。【解決手段】複合半導体構造を製作する方法は、シリコンベースの複数のデバイスを含むSOI基板110を提供する工程及び複数のフォトニックデバイスを含む化合物半導体基板を提供する工程を含む。化合物半導体基板をダイシングして複数のフォトニックダイを提供する工程も含む。各ダイは、複数のフォトニックデバイスのうちの1つまたは複数を含む。当該方法はさらに、アセンブリ基板を提供する工程、アセンブリ基板の所定の部分に複数のフォトニックダイを取り付ける工程、SOI基板とアセンブリ基板とを位置合わせする工程、SOI基板とアセンブリ基板とを連結して複合基板構造物を形成する工程及び複合基板構造物からアセンブリ基板の少なくとも一部を除去する工程を含む。【選択図】図1
其他摘要	要解决的问题：提供一种硅光子器件的晶片级键合方法，以实现仅用于特定器件功能的昂贵的III-V族材料。解决方案：制造复合半导体结构的方法包括以下步骤：提供SOI衬底110包括多个硅基器件;提供包括多个光子器件的化合物半导体衬底。该方法还包括切割化合物半导体衬底以提供多个光子管芯的步骤。每个管芯包括多个光子器件中的一个或多个。该方法还包括以下步骤：提供组装基板;将多个光子管芯安装在组装基板的预定部分上;对准SOI衬底和组装衬底;连接SOI衬底和组装衬底以形成复合衬底结构;从复合衬底结构中移除至少一部分组装衬底。图1：图1
主权项	-
申请日期	2016-12-08
专利号	JP2017103460A
专利状态	授权
申请号	JP2016238235
公开（公告）号	JP2017103460A
IPC 分类号	H01L27/15 \| H01L31/02 \| H01S5/022 \| G02B6/12 \| H01L23/12 \| H01L21/60
专利代理人	岡部憲昭 \| 穐場仁
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57524
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	スコーピオズテクノロジーズインコーポレイテッド
推荐引用方式 GB/T 7714	ダレザッセジョン,クラジュリックスティーブンビー.. テンプレート支援ウェハ接合のための方法およびシステム. JP2017103460A[P]. 2017-06-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2017103460A.PDF（449KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文