半导体激光器芯片与硅光芯片的耦合结构及耦合方法

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	半导体激光器芯片与硅光芯片的耦合结构及耦合方法
其他题名	半导体激光器芯片与硅光芯片的耦合结构及耦合方法
	李金野; 刘建国; 戴双兴
	2019-11-01
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2019-11-01
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种半导体激光器芯片与硅光芯片的耦合结构及耦合方法，该耦合结构包括激光器单元，其包含有激光器芯片；硅光芯片，其上设有波导；以及刻蚀槽，其设置在硅光芯片的耦合端，用于连接激光器单元和硅光芯片。本发明能够实现半导体激光器芯片与硅光芯片的高效率耦合，有利于为硅光混合集成提供高品质光源，本发明在硅光芯片耦合端面镀了增透膜，同时减小了耦合损耗和激光器的RIN噪声，且在激光器芯片和硅光芯片的缝隙中填充折射率匹配胶，减小了光场散射损耗，进一步减小了耦合损耗。
其他摘要	一种半导体激光器芯片与硅光芯片的耦合结构及耦合方法，该耦合结构包括激光器单元，其包含有激光器芯片；硅光芯片，其上设有波导；以及刻蚀槽，其设置在硅光芯片的耦合端，用于连接激光器单元和硅光芯片。本发明能够实现半导体激光器芯片与硅光芯片的高效率耦合，有利于为硅光混合集成提供高品质光源，本发明在硅光芯片耦合端面镀了增透膜，同时减小了耦合损耗和激光器的RIN噪声，且在激光器芯片和硅光芯片的缝隙中填充折射率匹配胶，减小了光场散射损耗，进一步减小了耦合损耗。
主权项	一种半导体激光器芯片与硅光芯片的耦合结构，包括：激光器单元，其包含有激光器芯片；硅光芯片，其上设有波导；以及刻蚀槽，其设置在硅光芯片的耦合端，用于连接激光器单元和硅光芯片。
申请日期	2019-07-26
专利号	CN110401101A
专利状态	申请中
申请号	CN201910687036.4
公开（公告）号	CN110401101A
IPC 分类号	H01S5/026 \| G02B6/12
专利代理人	吴梦圆
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57234
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	李金野,刘建国,戴双兴. 半导体激光器芯片与硅光芯片的耦合结构及耦合方法. CN110401101A[P]. 2019-11-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110401101A.PDF（381KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文