一种单腔体结构VCSEL芯片及其制作方法和激光装置

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	一种单腔体结构VCSEL芯片及其制作方法和激光装置
其他题名	一种单腔体结构VCSEL芯片及其制作方法和激光装置
	贾钊; 赵炆兼; 马祥柱; 张国庆; 陈凯轩
	2018-11-30
专利权人	扬州乾照光电有限公司
公开日期	2018-11-30
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种单腔体结构VCSEL芯片及其制作方法和激光装置，包括：衬底；形成于衬底一表面的LED发光外延层，LED发光外延层上形成有一贯窗口区；形成于LED发光外延层的表面的水平光栅，及形成于LED发光外延层位于窗口区处的侧壁上的垂直光栅；形成于窗口区内的DBR层；以及，形成于衬底背离LED发光外延层一侧的背面电极，及形成于LED发光外延层背离衬底一侧的正面电极。水平光栅将LED发光外延层的表面出光集中引导至垂直光栅处后，再与垂直光栅处的出光共同引导至DBR层形成的光学谐振腔后出射，由于LED发光外延层的内量子效率较高，因此能够使得单腔体结构VCSEL芯片的单束激光功率较高。
其他摘要	本发明公开了一种单腔体结构VCSEL芯片及其制作方法和激光装置，包括：衬底；形成于衬底一表面的LED发光外延层，LED发光外延层上形成有一贯窗口区；形成于LED发光外延层的表面的水平光栅，及形成于LED发光外延层位于窗口区处的侧壁上的垂直光栅；形成于窗口区内的DBR层；以及，形成于衬底背离LED发光外延层一侧的背面电极，及形成于LED发光外延层背离衬底一侧的正面电极。水平光栅将LED发光外延层的表面出光集中引导至垂直光栅处后，再与垂直光栅处的出光共同引导至DBR层形成的光学谐振腔后出射，由于LED发光外延层的内量子效率较高，因此能够使得单腔体结构VCSEL芯片的单束激光功率较高。
主权项	一种单腔体结构VCSEL芯片，其特征在于，包括：衬底；形成于所述衬底一表面的LED发光外延层，所述LED发光外延层上形成有一在垂直所述衬底的表面方向上贯通所述LED发光外延层的窗口区；形成于所述LED发光外延层的表面的水平光栅，及形成于所述LED发光外延层位于所述窗口区处的侧壁上的垂直光栅，所述水平光栅的狭缝沿所述LED发光外延层的边缘向所述窗口区方向延伸，且所述垂直光栅的狭缝沿所述窗口区的顶部至其底部的方向延伸；形成于所述窗口区内的DBR层；以及，形成于所述衬底背离所述LED发光外延层一侧的背面电极，及形成于所述LED发光外延层背离所述衬底一侧的正面电极。
申请日期	2018-07-06
专利号	CN108923254A
专利状态	申请中
申请号	CN201810734423.4
公开（公告）号	CN108923254A
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/187
专利代理人	王宝筠
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57175
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	扬州乾照光电有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	贾钊,赵炆兼,马祥柱,等. 一种单腔体结构VCSEL芯片及其制作方法和激光装置. CN108923254A[P]. 2018-11-30.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108923254A.PDF（694KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文