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具有集成散射體的頂發射VCSEL陣列
其他题名具有集成散射體的頂發射VCSEL陣列
N‧麥金農; 李衛平; 范曉峰
2018-10-12
专利权人蘋果公司
公开日期2018-10-12
授权国家中国香港
专利类型发明申请
摘要本发明题为“具有集成散射体的顶发射vcsel阵列”。本发明公开了一种辐射源,其包括半导体基板、形成在基板上的被配置为发出光学辐射的垂直腔面发射激光器(VCSEL)的阵列,以及形成在VCSEL的阵列之上的透明结晶层。透明结晶层具有被配置为对由VCSEL发出的辐射进行散射的外表面。
其他摘要本发明题为“具有集成散射体的顶发射vcsel阵列”。本发明公开了一种辐射源,其包括半导体基板、形成在基板上的被配置为发出光学辐射的垂直腔面发射激光器(VCSEL)的阵列,以及形成在VCSEL的阵列之上的透明结晶层。透明结晶层具有被配置为对由VCSEL发出的辐射进行散射的外表面。
主权项一种辐射源,包括: 半导体基板; 形成在所述基板上的被配置为发出光学辐射的垂直腔面发射激光器(VCSEL)的阵列;和 结晶层,所述结晶层形成在VCSEL的所述阵列之上并且具有被配置为对由所述VCSEL发出的所述辐射进行散射的外表面。
申请日期2018-06-08
专利号HK1248406A
专利状态申请中
申请号HK18107508
公开(公告)号HK1248406A
IPC 分类号H01S
专利代理人-
代理机构CLT PATENT & TRADEMARK (H.K.) LTD.
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57121
专题半导体激光器专利数据库
作者单位蘋果公司
推荐引用方式
GB/T 7714
N‧麥金農,李衛平,范曉峰. 具有集成散射體的頂發射VCSEL陣列. HK1248406A[P]. 2018-10-12.
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