一种共享型VCSEL与HBT集成结构和制作方法

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	一种共享型VCSEL与HBT集成结构和制作方法
其他题名	一种共享型VCSEL与HBT集成结构和制作方法
	王智勇; 周广正; 李颖; 兰天
	2018-11-13
专利权人	北京工业大学
公开日期	2018-11-13
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种共享型VCSEL与HBT集成结构和制作方法，属于化合物半导体材料及器件技术领域。所述结构中VCSEL与HBT共享n型InGaP发射区、p型GaAs基区和n型GaAs集电区，且VCSEL与HBT在竖直方向形成串联来减小芯片面积。利用湿法腐蚀刻蚀至n型InGaP腐蚀阻挡层，再利用湿法氧化形成环形氧化以提供电流和光场限制，再依次刻蚀n型InGaP腐蚀阻挡层、n型GaAs集电区和p型GaAs基区，依次在p型GaAs基区和n型InGaP发射区制作基极电极和发射极电极，再利用BCB填充刻蚀沟槽，再制作VCSEL p面电极。VCSEL与HBT在竖直方向形成串联减小了芯片面积。
其他摘要	一种共享型VCSEL与HBT集成结构和制作方法，属于化合物半导体材料及器件技术领域。所述结构中VCSEL与HBT共享n型InGaP发射区、p型GaAs基区和n型GaAs集电区，且VCSEL与HBT在竖直方向形成串联来减小芯片面积。利用湿法腐蚀刻蚀至n型InGaP腐蚀阻挡层，再利用湿法氧化形成环形氧化以提供电流和光场限制，再依次刻蚀n型InGaP腐蚀阻挡层、n型GaAs集电区和p型GaAs基区，依次在p型GaAs基区和n型InGaP发射区制作基极电极和发射极电极，再利用BCB填充刻蚀沟槽，再制作VCSEL p面电极。VCSEL与HBT在竖直方向形成串联减小了芯片面积。
主权项	一种共享性VCSEL与HBT集成结构，其特征在于：VCSEL与HBT共享了n型InGaP发射区、p型GaAs基区和n型GaAs集电区，其结构自上而下依次为p型GaAs帽层、p型AlGaAs/AlGaAs上DBR、Al0.98Ga0.02As氧化层和AlxOy复合层、InGaAs/AlGaAs量子阱、上下限制层、n型InGaP腐蚀阻挡层、n型GaAs集电区组成的圆柱结构，Al0.98Ga0.02As氧化层和AlxOy复合层：Al0.98Ga0.02As氧化层为圆中心，AlxOy在Al0.98Ga0.02As氧化层外环；n型GaAs集电区的下层依次为p型GaAs基区、n型InGaP发射区，p型GaAs基区的一侧延长长于n型GaAs集电区，其上为基极电极；n型InGaP发射区的一侧延长长于p型GaAs基区，其上有发射极电极；n型InGaP发射区的向下的下层依次为非故意掺杂AlGaAs/AlAs下DBR、非故意掺杂GaAs缓冲层、半绝缘GaAs衬底；非故意掺杂AlGaAs/AlAs下DBR的上面除了n型InGaP发射区外，为平坦化填充材料BCB，平坦化填充材料BCB向上的上面与p型GaAs帽层齐平；在平坦化填充材料BCB向上的上面与p型GaAs帽层上均设有p面电极。
申请日期	2018-07-03
专利号	CN108808445A
专利状态	申请中
申请号	CN201810713719.8
公开（公告）号	CN108808445A
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/062
专利代理人	张立改
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57113
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	王智勇,周广正,李颖,等. 一种共享型VCSEL与HBT集成结构和制作方法. CN108808445A[P]. 2018-11-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108808445A.PDF（471KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文