Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 多波长分布反馈半导体激光器阵列及制备方法 | |
| 其他题名 | 多波长分布反馈半导体激光器阵列及制备方法 |
| 王健; 王雅琼; 孙长征; 熊兵; 罗毅; 郝智彪; 韩彦军; 汪莱; 李洪涛 | |
| 2018-11-13 | |
| 专利权人 | 清华大学 |
| 公开日期 | 2018-11-13 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明公开了一种多波长分布反馈半导体激光器阵列及制备方法，其中，多波长分布反馈半导体激光器阵列包括：光栅、波导和输出光腔面，其中，光栅为侧向耦合表面光栅，波导为脊波导，腔面为刻蚀形成的腔面。该多波长分布反馈半导体激光器阵列可以有效地抑制FP纵模的干扰，具有制备方式简单、成本低、适用性广以及波长精确控制的优点。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种多波长分布反馈半导体激光器阵列及制备方法，其中，多波长分布反馈半导体激光器阵列包括：光栅、波导和输出光腔面，其中，光栅为侧向耦合表面光栅，波导为脊波导，腔面为刻蚀形成的腔面。该多波长分布反馈半导体激光器阵列可以有效地抑制FP纵模的干扰，具有制备方式简单、成本低、适用性广以及波长精确控制的优点。 |
| 主权项 | 一种多波长分布反馈半导体激光器阵列，其特征在于：包括光栅、波导和输出光腔面，其中，所述光栅为侧向耦合表面光栅，所述波导为脊波导，所述腔面为刻蚀形成的腔面。 |
| 申请日期 | 2018-06-29 |
| 专利号 | CN108808442A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201810714759.4 |
| 公开（公告）号 | CN108808442A |
| IPC 分类号 | H01S5/12 | H01S5/10 | H01S5/40 |
| 专利代理人 | 赵天月 |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57110 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 清华大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王健,王雅琼,孙长征,等. 多波长分布反馈半导体激光器阵列及制备方法. CN108808442A[P]. 2018-11-13. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN108808442A.PDF（425KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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