一种倒装VCSEL芯片及制作方法

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	一种倒装VCSEL芯片及制作方法
其他题名	一种倒装VCSEL芯片及制作方法
	赵炆兼; 贾钊; 曹广亮; 郭冠军; 马祥柱
	2018-11-13
专利权人	扬州乾照光电有限公司
公开日期	2018-11-13
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种倒装VCSEL芯片及制作方法，该倒装VCSEL芯片包括：衬底；设置在所述衬底上的金属层；设置在所述金属层背离所述衬底一侧的透明材料层；设置在所述透明材料层背离所述金属层一侧的欧姆接触层，且所述欧姆接触层部分覆盖所述透明材料层；设置在所述欧姆接触层背离所述透明材料层一侧的量子阱层；设置在所述量子阱层背离所述欧姆接触层一侧的布拉格反射镜层；保护层，所述保护层覆盖所述欧姆接触层、所述量子阱层和所述布拉格反射镜层的侧壁以及覆盖暴露出的所述透明材料层的表面，且部分覆盖所述布拉格反射镜层背离所述量子阱层一侧的表面。该倒装VCSEL芯片电压低，且外延生长时间短。
其他摘要	本发明公开了一种倒装VCSEL芯片及制作方法，该倒装VCSEL芯片包括：衬底；设置在所述衬底上的金属层；设置在所述金属层背离所述衬底一侧的透明材料层；设置在所述透明材料层背离所述金属层一侧的欧姆接触层，且所述欧姆接触层部分覆盖所述透明材料层；设置在所述欧姆接触层背离所述透明材料层一侧的量子阱层；设置在所述量子阱层背离所述欧姆接触层一侧的布拉格反射镜层；保护层，所述保护层覆盖所述欧姆接触层、所述量子阱层和所述布拉格反射镜层的侧壁以及覆盖暴露出的所述透明材料层的表面，且部分覆盖所述布拉格反射镜层背离所述量子阱层一侧的表面。该倒装VCSEL芯片电压低，且外延生长时间短。
主权项	一种倒装VCSEL芯片，其特征在于，所述倒装VCSEL芯片包括：衬底；设置在所述衬底上的金属层；设置在所述金属层背离所述衬底一侧的透明材料层；设置在所述透明材料层背离所述金属层一侧的欧姆接触层，且所述欧姆接触层部分覆盖所述透明材料层；设置在所述欧姆接触层背离所述透明材料层一侧的量子阱层；设置在所述量子阱层背离所述欧姆接触层一侧的布拉格反射镜层；保护层，所述保护层覆盖所述欧姆接触层、所述量子阱层和所述布拉格反射镜层的侧壁以及覆盖暴露出的所述透明材料层的表面，且部分覆盖所述布拉格反射镜层背离所述量子阱层一侧的表面。
申请日期	2018-06-19
专利号	CN108808444A
专利状态	申请中
申请号	CN201810630962.3
公开（公告）号	CN108808444A
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/343
专利代理人	王宝筠
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57108
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	扬州乾照光电有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	赵炆兼,贾钊,曹广亮,等. 一种倒装VCSEL芯片及制作方法. CN108808444A[P]. 2018-11-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108808444A.PDF（1301KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文