基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片及制备方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片及制备方法
其他题名	基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片及制备方法
	赵丽霞; 杨超; 刘磊
	2018-10-11
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2018-10-11
授权国家	世界知识产权组织
专利类型	发明申请
摘要	一种基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片及其制备方法，其中芯片包括：一衬底(10)；制作在衬底(10)上的缓冲层(11)；制作在缓冲层(11)上的底部多孔DBR层(12)；制作在底部多孔DBR层(12)上的n型掺杂GaN层(13)及外围向下刻蚀形成有台面(13')；制作在n型掺杂GaN层(13)上的有源层(14)；制作在有源层(14)上的电子阻挡层(15)；制作在电子阻挡层(15)上的p型掺杂GaN层(16)；制作在p型掺杂GaN层(16)上的电流限制层(17)，其中心形成有电流窗口(17')，且电流限制层(17)覆盖有源层(14)、电子阻挡层(15)和n型掺杂GaN层(13)凸起部分(13")的侧壁；制作在p型掺杂GaN层(16)上的透明电极(18)；制作在n型掺杂GaN层(13)台面(13')上的n电极(20)；制作在透明电极(18)上的p电极(21)，中间形成有凹缺；制作在p电极(21)凹缺内透明电极(18)上的介质DBR层(19)。
其他摘要	一种基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片及其制备方法，其中芯片包括：一衬底(10)；制作在衬底(10)上的缓冲层(11)；制作在缓冲层(11)上的底部多孔DBR层(12)；制作在底部多孔DBR层(12)上的n型掺杂GaN层(13)及外围向下刻蚀形成有台面(13')；制作在n型掺杂GaN层(13)上的有源层(14)；制作在有源层(14)上的电子阻挡层(15)；制作在电子阻挡层(15)上的p型掺杂GaN层(16)；制作在p型掺杂GaN层(16)上的电流限制层(17)，其中心形成有电流窗口(17')，且电流限制层(17)覆盖有源层(14)、电子阻挡层(15)和n型掺杂GaN层(13)凸起部分(13")的侧壁；制作在p型掺杂GaN层(16)上的透明电极(18)；制作在n型掺杂GaN层(13)台面(13')上的n电极(20)；制作在透明电极(18)上的p电极(21)，中间形成有凹缺；制作在p电极(21)凹缺内透明电极(18)上的介质DBR层(19)。
主权项	一种基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片，包括：一衬底，该衬底的材料为蓝宝石、硅或碳化硅；一缓冲层，其制作在衬底的上表面；一底部多孔DBR层，其制作在缓冲层的上表面；一n型掺杂GaN层，其制作在底部多孔DBR层的上表面，所述n型掺杂GaN层的外围向下刻蚀形成有台面，所述台面的深度小于所述n型掺杂GaN层的厚度，所述n型掺杂GaN层的中间为凸起部分；一有源层，其制作在所述n型掺杂GaN层的凸起部分上；一电子阻挡层，其制作在所述有源层的上表面；一p型掺杂GaN层，其制作在所述电子阻挡层的上表面；一电流限制层，为绝缘介质，其制作在所述p型掺杂GaN层的上表面及侧面，该电流限制层的中心形成有电流窗口，且该电流限制层覆盖有源层、电子阻挡层和n型掺杂GaN层凸起部分的侧壁，并覆盖部分台面；一透明电极，其制作在所述p型掺杂GaN层上面的电流限制层及电流窗口处；一n电极，其制作在n型掺杂GaN层的台面上；一p电极，其制作在所述透明电极上面的四周，中间形成有凹缺；一介质DBR层，其制作在所述p电极凹缺内透明电极的上表面。
申请日期	2017-06-01
专利号	WO2018184288A1
专利状态	未确认
申请号	PCT/CN2017/086855
公开（公告）号	WO2018184288A1
IPC 分类号	H01S5/183
专利代理人	中科专利商标代理有限责任公司
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57053
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	赵丽霞,杨超,刘磊. 基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片及制备方法. WO2018184288A1[P]. 2018-10-11.