一种全反射光波导半导体激光器芯片及其制备方法

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	一种全反射光波导半导体激光器芯片及其制备方法
其他题名	一种全反射光波导半导体激光器芯片及其制备方法
	任忠祥; 苏建; 夏伟; 徐现刚
	2018-10-09
专利权人	山东华光光电子股份有限公司
公开日期	2018-10-09
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种全反射光波导半导体激光器芯片及其制备方法，该半导体激光器芯片包括外延片，外延片包括从下至上依次设置的衬底、下包层、有源区、上包层和欧姆接触层，外延片中心位置设置有脊型光腔，脊型光腔的两侧设置有隔离槽，隔离槽外侧设置有肩区，外延片的上表面设置有高反射率光学膜层和P电极层；其制备步骤包括：（1）形成外延片；（2）一次光刻；（3）蒸镀高反射率光学膜；（4）二次光刻；（5）三次光刻；（6）制备P电极层；（7）衬底减薄；（8）制备N电极层；（9）巴条解离和镀膜；（10）形成单个激光器芯片。本发明实现了对光腔的光限制，使激光器芯片的阈值电流降低，光电转换效率提升，明显改善了输出光形，消除了杂散光，提升了芯片可靠性。
其他摘要	一种全反射光波导半导体激光器芯片及其制备方法，该半导体激光器芯片包括外延片，外延片包括从下至上依次设置的衬底、下包层、有源区、上包层和欧姆接触层，外延片中心位置设置有脊型光腔，脊型光腔的两侧设置有隔离槽，隔离槽外侧设置有肩区，外延片的上表面设置有高反射率光学膜层和P电极层；其制备步骤包括：（1）形成外延片；（2）一次光刻；（3）蒸镀高反射率光学膜；（4）二次光刻；（5）三次光刻；（6）制备P电极层；（7）衬底减薄；（8）制备N电极层；（9）巴条解离和镀膜；（10）形成单个激光器芯片。本发明实现了对光腔的光限制，使激光器芯片的阈值电流降低，光电转换效率提升，明显改善了输出光形，消除了杂散光，提升了芯片可靠性。
主权项	一种全反射光波导半导体激光器芯片，包括外延片，外延片包括从下至上依次设置的衬底、下包层、有源区、上包层和欧姆接触层，其特征是，外延片中心位置设置有脊型光腔，脊型光腔深至上包层内，脊型光腔的两侧设置有隔离槽，隔离槽的外侧设置有肩区，外延片的上表面设置有高反射率光学膜层，高反射率光学膜层上设置有P电极层。
申请日期	2017-03-22
专利号	CN108631153A
专利状态	申请中
申请号	CN201710177483.6
公开（公告）号	CN108631153A
IPC 分类号	H01S5/22
专利代理人	王书刚
代理机构	济南日新专利代理事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57032
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	山东华光光电子股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	任忠祥,苏建,夏伟,等. 一种全反射光波导半导体激光器芯片及其制备方法. CN108631153A[P]. 2018-10-09.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108631153A.PDF（416KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文