Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
一种全反射光波导半导体激光器芯片及其制备方法 | |
其他题名 | 一种全反射光波导半导体激光器芯片及其制备方法 |
任忠祥; 苏建; 夏伟; 徐现刚 | |
2018-10-09 | |
专利权人 | 山东华光光电子股份有限公司 |
公开日期 | 2018-10-09 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 一种全反射光波导半导体激光器芯片及其制备方法,该半导体激光器芯片包括外延片,外延片包括从下至上依次设置的衬底、下包层、有源区、上包层和欧姆接触层,外延片中心位置设置有脊型光腔,脊型光腔的两侧设置有隔离槽,隔离槽外侧设置有肩区,外延片的上表面设置有高反射率光学膜层和P电极层;其制备步骤包括:(1)形成外延片;(2)一次光刻;(3)蒸镀高反射率光学膜;(4)二次光刻;(5)三次光刻;(6)制备P电极层;(7)衬底减薄;(8)制备N电极层;(9)巴条解离和镀膜;(10)形成单个激光器芯片。本发明实现了对光腔的光限制,使激光器芯片的阈值电流降低,光电转换效率提升,明显改善了输出光形,消除了杂散光,提升了芯片可靠性。 |
其他摘要 | 一种全反射光波导半导体激光器芯片及其制备方法,该半导体激光器芯片包括外延片,外延片包括从下至上依次设置的衬底、下包层、有源区、上包层和欧姆接触层,外延片中心位置设置有脊型光腔,脊型光腔的两侧设置有隔离槽,隔离槽外侧设置有肩区,外延片的上表面设置有高反射率光学膜层和P电极层;其制备步骤包括:(1)形成外延片;(2)一次光刻;(3)蒸镀高反射率光学膜;(4)二次光刻;(5)三次光刻;(6)制备P电极层;(7)衬底减薄;(8)制备N电极层;(9)巴条解离和镀膜;(10)形成单个激光器芯片。本发明实现了对光腔的光限制,使激光器芯片的阈值电流降低,光电转换效率提升,明显改善了输出光形,消除了杂散光,提升了芯片可靠性。 |
主权项 | 一种全反射光波导半导体激光器芯片,包括外延片,外延片包括从下至上依次设置的衬底、下包层、有源区、上包层和欧姆接触层,其特征是,外延片中心位置设置有脊型光腔,脊型光腔深至上包层内,脊型光腔的两侧设置有隔离槽,隔离槽的外侧设置有肩区,外延片的上表面设置有高反射率光学膜层,高反射率光学膜层上设置有P电极层。 |
申请日期 | 2017-03-22 |
专利号 | CN108631153A |
专利状态 | 申请中 |
申请号 | CN201710177483.6 |
公开(公告)号 | CN108631153A |
IPC 分类号 | H01S5/22 |
专利代理人 | 王书刚 |
代理机构 | 济南日新专利代理事务所 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57032 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 山东华光光电子股份有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 任忠祥,苏建,夏伟,等. 一种全反射光波导半导体激光器芯片及其制备方法. CN108631153A[P]. 2018-10-09. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN108631153A.PDF(416KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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