集成超表面于VCSEL的轨道角动量发射器件及其制备方法

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	集成超表面于VCSEL的轨道角动量发射器件及其制备方法
其他题名	集成超表面于VCSEL的轨道角动量发射器件及其制备方法
	喻颖; 孙雅琪; 刘顺发; 余思远
	2018-10-02
专利权人	中山大学
公开日期	2018-10-02
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种集成超表面于VCSEL的轨道角动量发射器件，包括垂直腔表面发射激光器、二氧化硅钝化层、SU8平整化层、N面电极、P面环形电极和非晶硅超表面层；其中所述垂直腔表面发射激光器包括GaAs衬底、下分布布拉格反射镜结构、三量子阱有源层、上分布布拉格反射镜结构，其中下分布布拉格反射镜结构设置在GaAs衬底上，三量子阱有源层设置在下分布布拉格反射镜结构上，上分布布拉格反射镜结构设置在三量子阱有源层上；二氧化硅钝化层对上分布布拉格反射镜结构、三量子阱有源层的端面进行包覆，下分布布拉格反射镜结构的顶面上设置有SU8平整化层，SU8平整化层对二氧化硅钝化层的外表面进行包覆；N面电极开设在GaAs衬底上；P面环形电极设置在SU8平整化层上；非晶硅超表面层设置在上分布布拉格反射镜结构上。
其他摘要	本发明涉及一种集成超表面于VCSEL的轨道角动量发射器件，包括垂直腔表面发射激光器、二氧化硅钝化层、SU8平整化层、N面电极、P面环形电极和非晶硅超表面层；其中所述垂直腔表面发射激光器包括GaAs衬底、下分布布拉格反射镜结构、三量子阱有源层、上分布布拉格反射镜结构，其中下分布布拉格反射镜结构设置在GaAs衬底上，三量子阱有源层设置在下分布布拉格反射镜结构上，上分布布拉格反射镜结构设置在三量子阱有源层上；二氧化硅钝化层对上分布布拉格反射镜结构、三量子阱有源层的端面进行包覆，下分布布拉格反射镜结构的顶面上设置有SU8平整化层，SU8平整化层对二氧化硅钝化层的外表面进行包覆；N面电极开设在GaAs衬底上；P面环形电极设置在SU8平整化层上；非晶硅超表面层设置在上分布布拉格反射镜结构上。
主权项	集成超表面于VCSEL的轨道角动量发射器件，其特征在于：包括垂直腔表面发射激光器、二氧化硅钝化层、SU8平整化层、N面电极、P面环形电极和非晶硅超表面层；其中所述垂直腔表面发射激光器包括GaAs衬底、由GaAs、AlGaAs组成的下分布布拉格反射镜结构、三量子阱有源层、由GaAs、AlGaAs组成的上分布布拉格反射镜结构，其中下分布布拉格反射镜结构设置在GaAs衬底上，三量子阱有源层设置在下分布布拉格反射镜结构上，上分布布拉格反射镜结构设置在三量子阱有源层上；二氧化硅钝化层对上分布布拉格反射镜结构、三量子阱有源层的端面进行包覆，下分布布拉格反射镜结构的顶面上设置有SU8平整化层，SU8平整化层对二氧化硅钝化层的外表面进行包覆；N面电极开设在GaAs衬底上；P面环形电极设置在SU8平整化层上；非晶硅超表面层设置在上分布布拉格反射镜结构上。
申请日期	2018-05-10
专利号	CN108616033A
专利状态	申请中
申请号	CN201810444604.3
公开（公告）号	CN108616033A
IPC 分类号	H01S5/187 \| H01S5/183
专利代理人	林丽明
代理机构	广州粤高专利商标代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57028
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中山大学
推荐引用方式 GB/T 7714	喻颖,孙雅琪,刘顺发,等. 集成超表面于VCSEL的轨道角动量发射器件及其制备方法. CN108616033A[P]. 2018-10-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108616033A.PDF（859KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文