一种电流导引型VCSEL及其制备方法

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	一种电流导引型VCSEL及其制备方法
其他题名	一种电流导引型VCSEL及其制备方法
	王智勇; 周广正; 李颖; 兰天
	2018-09-14
专利权人	北京工业大学
公开日期	2018-09-14
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种电流导引型VCSEL及其制备方法，属于半导体技术领域。所述的VCSEL包括一导电GaAs衬底、n型GaAs缓冲层、n型AlGaAs/AlAs的DBR、AlGaAs下限制层、多量子阱发光区、AlGaAs上限制层、一次外延p型AlGaAs/AlAs的DBR、质子注入栅格结构、二次外延p型AlGaAs/AlAs的DBR、p型GaAs欧姆接触层、n面电极和p面电极。所述的质子注入栅格结构包含3‑5对DBR厚度，既能提供有效的电流和增益限制，又能很好的控制质子注入深度；质子注入栅格宽度由中心向两边递减，整体光增益分布与单横模高斯分布相匹配，实现稳定地单横模激射。
其他摘要	一种电流导引型VCSEL及其制备方法，属于半导体技术领域。所述的VCSEL包括一导电GaAs衬底、n型GaAs缓冲层、n型AlGaAs/AlAs的DBR、AlGaAs下限制层、多量子阱发光区、AlGaAs上限制层、一次外延p型AlGaAs/AlAs的DBR、质子注入栅格结构、二次外延p型AlGaAs/AlAs的DBR、p型GaAs欧姆接触层、n面电极和p面电极。所述的质子注入栅格结构包含3‑5对DBR厚度，既能提供有效的电流和增益限制，又能很好的控制质子注入深度；质子注入栅格宽度由中心向两边递减，整体光增益分布与单横模高斯分布相匹配，实现稳定地单横模激射。
主权项	一种电流导引型VCSEL，其特征在于，自下而上依次包括一导电GaAs衬底、n型GaAs缓冲层、n型AlGaAs/AlAs的DBR、AlGaAs下限制层、多量子阱发光区、AlGaAs上限制层；在AlGaAs上限制层为一次外延p型AlGaAs/AlAs的DBR和质子注入栅格结构交叉间隔排列组合；在一次外延p型AlGaAs/AlAs的DBR和质子注入栅格结构交叉间隔排列组合上依次为二次外延p型AlGaAs/AlAs的DBR、p型GaAs欧姆接触层；在导电GaAs衬底的背面设有n面电极，在p型GaAs欧姆接触层上设有p面电极。
申请日期	2018-06-26
专利号	CN108539577A
专利状态	失效
申请号	CN201810673115.5
公开（公告）号	CN108539577A
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/187 \| H01S5/323 \| H01S5/343
专利代理人	张立改
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56989
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	王智勇,周广正,李颖,等. 一种电流导引型VCSEL及其制备方法. CN108539577A[P]. 2018-09-14.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108539577A.PDF（502KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文