Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种横向非对称光波导半导体激光器芯片及其制备方法 | |
| 其他题名 | 一种横向非对称光波导半导体激光器芯片及其制备方法 |
| 夏伟; 苏建; 朱振; 李沛旭; 徐现刚 | |
| 2018-09-07 | |
| 专利权人 | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 公开日期 | 2018-09-07 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明涉及一种横向非对称光波导半导体激光器芯片及其制备方法。本发明所述横向非对称光波导半导体激光器芯片，控制腐蚀发光区两侧不同深度，使发光区两侧横向光波导区域面积相同，从而改变发光区两侧的有效折射率，解决了光斑中暗纹和拖尾的现象；在生产中应用有效提高大功率激光器光斑合格率95％以上。 |
| 其他摘要 | 本发明涉及一种横向非对称光波导半导体激光器芯片及其制备方法。本发明所述横向非对称光波导半导体激光器芯片，控制腐蚀发光区两侧不同深度，使发光区两侧横向光波导区域面积相同，从而改变发光区两侧的有效折射率，解决了光斑中暗纹和拖尾的现象；在生产中应用有效提高大功率激光器光斑合格率95％以上。 |
| 主权项 | 一种横向非对称光波导半导体激光器芯片，其特征在于，包括发光区、外延层和衬底；所述发光区为设置在外延层上的条形凸台；所述条形凸台两侧的高度不同，左侧高度为h1，右侧高度为h2；所述条形凸台上表面平行于外延层表面；所述发光区的两侧设置有光波导区。 |
| 申请日期 | 2017-02-28 |
| 专利号 | CN108512034A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201710113980.X |
| 公开（公告）号 | CN108512034A |
| IPC 分类号 | H01S5/22 |
| 专利代理人 | 叶亚林 |
| 代理机构 | 济南金迪知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56973 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 夏伟,苏建,朱振,等. 一种横向非对称光波导半导体激光器芯片及其制备方法. CN108512034A[P]. 2018-09-07. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN108512034A.PDF（508KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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