一种具有端面光栅选择机构的端面发射半导体激光器

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	一种具有端面光栅选择机构的端面发射半导体激光器
其他题名	一种具有端面光栅选择机构的端面发射半导体激光器
	崔碧峰; 程瑾; 王阳; 房天啸; 郝帅
	2018-09-07
专利权人	北京工业大学
公开日期	2018-09-07
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开一种具有端面光栅选择机构的端面发射半导体激光器，属于半导体激光器应用领域。这种结构的激光器包括衬底、下限制层、具有量子阱结构的有源层、上限制层、盖层、正面电极、背面电极、增透膜、膜厚可为1/2、1/3、1/4的激射波长或是1/2、1/3、1/4的激射波长的整数倍的介质膜、金属膜或柔性膜及其上的光栅。该发明提高了半导体激光器的光输出偏振比，利于将激光耦合到光纤中，提高激光合束后的输出功率，拓展了大功率半导体激光器的应用范围。
其他摘要	本发明公开一种具有端面光栅选择机构的端面发射半导体激光器，属于半导体激光器应用领域。这种结构的激光器包括衬底、下限制层、具有量子阱结构的有源层、上限制层、盖层、正面电极、背面电极、增透膜、膜厚可为1/2、1/3、1/4的激射波长或是1/2、1/3、1/4的激射波长的整数倍的介质膜、金属膜或柔性膜及其上的光栅。该发明提高了半导体激光器的光输出偏振比，利于将激光耦合到光纤中，提高激光合束后的输出功率，拓展了大功率半导体激光器的应用范围。
主权项	一种具有端面光栅选择机构的端面发射半导体激光器，其特征在于，在衬底1上，采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)依次生长下限制层2、具有量子阱结构的有源层3、上限制层4、盖层5、正面电极6、背面电极7；采用离子辅助电子束蒸发(IAEBE)方法在所述外延结构的出光端面制备增透膜8，再在上面制备一层介质膜、金属膜或柔性膜9，再在上面刻出光栅10。
申请日期	2018-04-17
专利号	CN108512032A
专利状态	申请中
申请号	CN201810340718.3
公开（公告）号	CN108512032A
IPC 分类号	H01S5/06
专利代理人	张慧
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56971
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	崔碧峰,程瑾,王阳,等. 一种具有端面光栅选择机构的端面发射半导体激光器. CN108512032A[P]. 2018-09-07.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108512032A.PDF（205KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文