Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
一种具有端面光栅选择机构的端面发射半导体激光器 | |
其他题名 | 一种具有端面光栅选择机构的端面发射半导体激光器 |
崔碧峰; 程瑾; 王阳; 房天啸; 郝帅 | |
2018-09-07 | |
专利权人 | 北京工业大学 |
公开日期 | 2018-09-07 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 本发明公开一种具有端面光栅选择机构的端面发射半导体激光器,属于半导体激光器应用领域。这种结构的激光器包括衬底、下限制层、具有量子阱结构的有源层、上限制层、盖层、正面电极、背面电极、增透膜、膜厚可为1/2、1/3、1/4的激射波长或是1/2、1/3、1/4的激射波长的整数倍的介质膜、金属膜或柔性膜及其上的光栅。该发明提高了半导体激光器的光输出偏振比,利于将激光耦合到光纤中,提高激光合束后的输出功率,拓展了大功率半导体激光器的应用范围。 |
其他摘要 | 本发明公开一种具有端面光栅选择机构的端面发射半导体激光器,属于半导体激光器应用领域。这种结构的激光器包括衬底、下限制层、具有量子阱结构的有源层、上限制层、盖层、正面电极、背面电极、增透膜、膜厚可为1/2、1/3、1/4的激射波长或是1/2、1/3、1/4的激射波长的整数倍的介质膜、金属膜或柔性膜及其上的光栅。该发明提高了半导体激光器的光输出偏振比,利于将激光耦合到光纤中,提高激光合束后的输出功率,拓展了大功率半导体激光器的应用范围。 |
主权项 | 一种具有端面光栅选择机构的端面发射半导体激光器,其特征在于,在衬底1上,采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)依次生长下限制层2、具有量子阱结构的有源层3、上限制层4、盖层5、正面电极6、背面电极7;采用离子辅助电子束蒸发(IAEBE)方法在所述外延结构的出光端面制备增透膜8,再在上面制备一层介质膜、金属膜或柔性膜9,再在上面刻出光栅10。 |
申请日期 | 2018-04-17 |
专利号 | CN108512032A |
专利状态 | 申请中 |
申请号 | CN201810340718.3 |
公开(公告)号 | CN108512032A |
IPC 分类号 | H01S5/06 |
专利代理人 | 张慧 |
代理机构 | 北京思海天达知识产权代理有限公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56971 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 北京工业大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 崔碧峰,程瑾,王阳,等. 一种具有端面光栅选择机构的端面发射半导体激光器. CN108512032A[P]. 2018-09-07. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN108512032A.PDF(205KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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