基于非线性效应的半导体激光器强度噪声抑制装置及抑制方法

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	基于非线性效应的半导体激光器强度噪声抑制装置及抑制方法
其他题名	基于非线性效应的半导体激光器强度噪声抑制装置及抑制方法
	秦晓琼; 应康; 陈迪俊; 魏芳; 蔡海文; 瞿荣辉
	2018-09-04
专利权人	中国科学院上海光学精密机械研究所
公开日期	2018-09-04
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种基于非线性效应的半导体激光器强度噪声抑制装置及抑制方法，包括半导体激光器、准直镜、衍射光栅和半导体激光器控制器，所述的半导体激光器控制器为半导体激光器提供驱动电流和温度控制，所述的半导体激光器发出的光束依次经过所述的准直镜和衍射光栅，在准直镜和衍射光栅之间的光路上插入参量倍频晶体，且半导体激光器、准直镜、参量倍频晶体和衍射光栅同光轴。本发明利用参量倍频晶体的fs量级超快响应时间，结合半导体激光器外腔反馈，可实现窄线宽、低相位噪声、宽频段强度噪声抑制，同时具有集成度高、频率稳定、易于产品化的优点。
其他摘要	一种基于非线性效应的半导体激光器强度噪声抑制装置及抑制方法，包括半导体激光器、准直镜、衍射光栅和半导体激光器控制器，所述的半导体激光器控制器为半导体激光器提供驱动电流和温度控制，所述的半导体激光器发出的光束依次经过所述的准直镜和衍射光栅，在准直镜和衍射光栅之间的光路上插入参量倍频晶体，且半导体激光器、准直镜、参量倍频晶体和衍射光栅同光轴。本发明利用参量倍频晶体的fs量级超快响应时间，结合半导体激光器外腔反馈，可实现窄线宽、低相位噪声、宽频段强度噪声抑制，同时具有集成度高、频率稳定、易于产品化的优点。
主权项	一种基于非线性效应的半导体激光器强度噪声抑制装置，包括半导体激光器(1)、准直镜(2)、衍射光栅(4)和半导体激光器控制器(5)，所述的半导体激光器控制器(5)为半导体激光器(1)提供驱动电流和温度控制，所述的半导体激光器(1)发出的光束依次经过所述的准直镜(2)和衍射光栅(4)，其特征在于，在准直镜(2)和衍射光栅(4)之间的光路上插入参量倍频晶体(3)，且半导体激光器(1)、准直镜(2)、参量倍频晶体(3)和衍射光栅(4)同光轴。
申请日期	2018-01-26
专利号	CN108493762A
专利状态	申请中
申请号	CN201810079532.7
公开（公告）号	CN108493762A
IPC 分类号	H01S5/06
专利代理人	张宁展
代理机构	上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56966
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院上海光学精密机械研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	秦晓琼,应康,陈迪俊,等. 基于非线性效应的半导体激光器强度噪声抑制装置及抑制方法. CN108493762A[P]. 2018-09-04.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108493762A.PDF（393KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文