半导体激光器和用于制造半导体激光器的方法和晶圆

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	半导体激光器和用于制造半导体激光器的方法和晶圆
其他题名	半导体激光器和用于制造半导体激光器的方法和晶圆
	S.格哈德; C.韦尔海利希; A.勒夫勒
	2018-08-31
专利权人	奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
公开日期	2018-08-31
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种半导体激光器，其包括以下各项：‑半导体层序列，其具有限定谐振器的两个相对刻面，以及在两个刻面之间形成的有效区；‑脊形波导，其由半导体层序列被构造为半导体层序列的顶面的凸起，所述凸起位于有效区上方，并且脊形波导的纵轴沿着有效区定向；‑接触金属化物，其被施加在背对着有效区的脊形波导的顶面上；以及‑与接触金属化物直接接触的电流流动层，其中‑该半导体层序列的顶面包括区段，该区段关于脊形波导的纵轴在区段宽度上邻近该两个刻面中的一个；该区段包括脊形波导的顶面的下区段；并且该下区段延伸，以使得关于脊形波导的纵轴在脊形波导的宽度上邻接该两个刻面中的所述一个，以及‑该区段没有电流流动层。本发明进一步涉及一种制造半导体激光器方法和晶圆。
其他摘要	本发明涉及一种半导体激光器，其包括以下各项：‑半导体层序列，其具有限定谐振器的两个相对刻面，以及在两个刻面之间形成的有效区；‑脊形波导，其由半导体层序列被构造为半导体层序列的顶面的凸起，所述凸起位于有效区上方，并且脊形波导的纵轴沿着有效区定向；‑接触金属化物，其被施加在背对着有效区的脊形波导的顶面上；以及‑与接触金属化物直接接触的电流流动层，其中‑该半导体层序列的顶面包括区段，该区段关于脊形波导的纵轴在区段宽度上邻近该两个刻面中的一个；该区段包括脊形波导的顶面的下区段；并且该下区段延伸，以使得关于脊形波导的纵轴在脊形波导的宽度上邻接该两个刻面中的所述一个，以及‑该区段没有电流流动层。本发明进一步涉及一种制造半导体激光器方法和晶圆。
主权项	一种半导体激光器（101），所述半导体激光器包括： - 半导体层序列（103），所述半导体层序列包括两个相对的刻面（107、201），以及被构造在所述两个刻面（107、201）之间的有效区（105），其中所述两个相对的刻面限定谐振器； - 脊形波导（109），所述脊形波导由所述半导体层序列（103）被构造为所述半导体层序列（103）的顶侧（111）的凸起，所述凸起位于所述有效区（105）的上方，并且所述脊形波导的纵轴（207）沿着所述有效区（105）定向； - 接触金属化物（119），所述接触金属化物被施加在所述脊形波导（109）的背对着所述有效区（105）的顶侧（113）上；以及 - 电流流动层（123），所述电流流动层与所述接触金属化物（119）直接接触， - 其中所述半导体层序列（103）的所述顶侧（111）包括区段（203），所述区段关于所述脊形波导（109）的纵轴（207）在所述区段的宽度（209）上邻接所述两个刻面（107、201）中的一个，其中所述区段（203）包括所述脊形波导（109）的所述顶侧（113）的子区段（205），其中所述子区段（205）以关于所述脊形波导（109）的所述纵轴（207）在所述脊形波导（109）的宽度上邻接所述两个刻面（107、201）中的所述一个的方式来延伸， - 其中所述区段（203）没有所述电流流动层（123）。
申请日期	2016-11-04
专利号	CN108475898A
专利状态	申请中
申请号	CN201680077819.5
公开（公告）号	CN108475898A
IPC 分类号	H01S5/02 \| H01S5/042 \| H01S5/22 \| H01S5/022 \| H01S5/024
专利代理人	臧永杰 \| 刘春元
代理机构	中国专利代理(香港)有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56957
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
推荐引用方式 GB/T 7714	S.格哈德,C.韦尔海利希,A.勒夫勒. 半导体激光器和用于制造半导体激光器的方法和晶圆. CN108475898A[P]. 2018-08-31.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108475898A.PDF（1252KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文