一种高速DFB半导体激光器的制备方法

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	一种高速DFB半导体激光器的制备方法
其他题名	一种高速DFB半导体激光器的制备方法
	薛贤铨; 薛贤旺; 孙全意
	2018-08-17
专利权人	厦门市芯诺通讯科技有限公司
公开日期	2018-08-17
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本申请涉及一种高速DFB半导体激光器的制备方法。首先在N‑InP衬底上，通过MOCVD生长缓冲层、波导和量子阱结构、光栅层，采用电子束光刻的方法在单颗芯片内写两种不同周期局部相移光栅，腐蚀形成光栅；再生长InP盖层、InGaAsP过渡层，InGaAs欧姆接触层，完成材料的结构生长。在单颗芯片内制备两个倒台脊型波导，分别对应两种不同周期的光栅，并采用BCB进行脊型以外区域的填充；接着进行常规的芯片制备工艺，并对芯片进行解离和镀膜完成芯片制备。采用写局部相移光栅的方法，有效提高了电子束的效率和芯片的成品率；并采用两种不同周期的光栅，来进一步改善光栅和增益谱匹配的问题，从而提高芯片的整体良率。
其他摘要	本申请涉及一种高速DFB半导体激光器的制备方法。首先在N‑InP衬底上，通过MOCVD生长缓冲层、波导和量子阱结构、光栅层，采用电子束光刻的方法在单颗芯片内写两种不同周期局部相移光栅，腐蚀形成光栅；再生长InP盖层、InGaAsP过渡层，InGaAs欧姆接触层，完成材料的结构生长。在单颗芯片内制备两个倒台脊型波导，分别对应两种不同周期的光栅，并采用BCB进行脊型以外区域的填充；接着进行常规的芯片制备工艺，并对芯片进行解离和镀膜完成芯片制备。采用写局部相移光栅的方法，有效提高了电子束的效率和芯片的成品率；并采用两种不同周期的光栅，来进一步改善光栅和增益谱匹配的问题，从而提高芯片的整体良率。
主权项	一种高速DFB半导体激光器，其特征在于，所述方法包括：在衬底层上外延生长基片的包含光栅层的外延结构，实现一次基片；采用电子束光刻的方法在光栅层上写两种周期的局部光栅，并采用湿法腐蚀形成光栅；采用金属有机化合物化学气相沉淀法MOCVD再生长形成材料完整的外延结构；在两种周期光栅位置分别制备倒台脊型波导；其中，倒台脊型波导具有预设上脊宽、预设下脊宽和预设脊深；进行BCB工艺，实现脊型波导表面区域无BCB，脊型波导以外区域覆盖BCB；对脊型表面开孔，蒸发P面金属、减薄、蒸发N面金属，合金形成欧姆接触；对片子进行解离、光学膜蒸镀，完成激光器的制备。
申请日期	2018-05-10
专利号	CN108418094A
专利状态	申请中
申请号	CN201810442218.0
公开（公告）号	CN108418094A
IPC 分类号	H01S5/12 \| H01S5/22 \| H01S5/34 \| H01S5/343
专利代理人	陈娟
代理机构	北京科家知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56928
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	厦门市芯诺通讯科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	薛贤铨,薛贤旺,孙全意. 一种高速DFB半导体激光器的制备方法. CN108418094A[P]. 2018-08-17.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108418094A.PDF（486KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文