Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 垂直共振腔面射雷射結構及製法 | |
| 其他题名 | 垂直共振腔面射雷射結構及製法 |
| 林炳成; 陳志誠; 曾竑維 | |
| 2018-08-16 | |
| 专利权人 | 光環科技股份有限公司 |
| 公开日期 | 2018-08-16 |
| 授权国家 | 中国台湾 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一種垂直共振腔面射雷射(VCSEL)結構及製法，具有獨特的三溝渠結構。藉由在凸台(mesa)內且位於光窗的外圍設置一第一溝渠來降低整體電容與縮短氧化層的氧化製程時間，且藉由在凸台外圍設置階梯狀下凹的第二溝渠及第三溝渠來形成階梯狀的雙層凸台結構，藉由形成夠大的散熱面積，達到降低熱效應、並避免金屬層之斷金現象的功效。此外，藉由光窗周圍設置離子佈植區來控制模態及侷限電流，以及在光窗上形成一出光層來達到控制出光的功效。 |
| 其他摘要 | 一種垂直共振腔面射雷射(VCSEL)結構及製法，具有獨特的三溝渠結構。藉由在凸台(mesa)內且位於光窗的外圍設置一第一溝渠來降低整體電容與縮短氧化層的氧化製程時間，且藉由在凸台外圍設置階梯狀下凹的第二溝渠及第三溝渠來形成階梯狀的雙層凸台結構，藉由形成夠大的散熱面積，達到降低熱效應、並避免金屬層之斷金現象的功效。此外，藉由光窗周圍設置離子佈植區來控制模態及侷限電流，以及在光窗上形成一出光層來達到控制出光的功效。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 2017-02-09 |
| 专利号 | TW201830811A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | TW106104272 |
| 公开（公告）号 | TW201830811A |
| IPC 分类号 | H01S5/183 |
| 专利代理人 | 陳明哲 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56923 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 光環科技股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林炳成,陳志誠,曾竑維. 垂直共振腔面射雷射結構及製法. TW201830811A[P]. 2018-08-16. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| TW201830811A.PDF（1392KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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