基于磷化铟基耦合脊阵列的半导体激光器及其制备方法

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	基于磷化铟基耦合脊阵列的半导体激光器及其制备方法
其他题名	基于磷化铟基耦合脊阵列的半导体激光器及其制备方法
	杨涛; 张中恺; 许锋
	2018-08-03
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2018-08-03
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本公开提供了一种基于磷化铟基耦合脊阵列的半导体激光器，其由磷化铟基外延片基材加工而成，所述半导体激光器包括：量子阱有源层，位于所述半导体激光器中间，用于发射激光；N区结构层，位于量子阱有源层之下，用于提供电子以及对载流子和光场的限制；以及P区结构层，位于量子阱有源层之上，用于提供空穴以及对载流子和光场的限制；所述P区结构层包括由M条脊波导构成的耦合脊阵列，M≥2，所述耦合脊阵列使得各个相邻脊波导下方有源区输出光场之间实现相干耦合，同时也加强了脊波导对于有源区中光场的限制作用，避免激光器以多横模模式激射，使输出光束质量更高。
其他摘要	本公开提供了一种基于磷化铟基耦合脊阵列的半导体激光器，其由磷化铟基外延片基材加工而成，所述半导体激光器包括：量子阱有源层，位于所述半导体激光器中间，用于发射激光；N区结构层，位于量子阱有源层之下，用于提供电子以及对载流子和光场的限制；以及P区结构层，位于量子阱有源层之上，用于提供空穴以及对载流子和光场的限制；所述P区结构层包括由M条脊波导构成的耦合脊阵列，M≥2，所述耦合脊阵列使得各个相邻脊波导下方有源区输出光场之间实现相干耦合，同时也加强了脊波导对于有源区中光场的限制作用，避免激光器以多横模模式激射，使输出光束质量更高。
主权项	一种基于磷化铟基耦合脊阵列的半导体激光器，其由磷化铟基外延片基材加工而成，所述半导体激光器包括：量子阱有源层(10)，位于所述半导体激光器中间，用于发射激光； P区结构层(20)，位于量子阱有源层(10)之上，用于提供空穴以及对载流子和光场的限制，所述P区结构层(20)包括由M条脊波导(24)构成的耦合脊阵列(29)，M≥2，所述耦合脊阵列(29)使得各个相邻脊波导(24)下方有源区输出光场之间实现相干耦合；以及 N区结构层(30)，位于量子阱有源层(10)之下，用于提供电子以及对载流子和光场的限制。
申请日期	2018-02-13
专利号	CN108365516A
专利状态	申请中
申请号	CN201810151209.6
公开（公告）号	CN108365516A
IPC 分类号	H01S5/22
专利代理人	曹玲柱
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56905
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	杨涛,张中恺,许锋. 基于磷化铟基耦合脊阵列的半导体激光器及其制备方法. CN108365516A[P]. 2018-08-03.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108365516A.PDF（947KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文