发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件及其制备方法

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	发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件及其制备方法
其他题名	发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件及其制备方法
	云峰; 张思超; 王善力; 陆冰睿
	2018-07-31
专利权人	海迪科(南通)光电科技有限公司
公开日期	2018-07-31
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件及其制备方法，所述发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件包括若干个密集排布的发光像素单元，所述发光像素单元设置在衬底上；在同一衬底上还设置有控制同一衬底上发光像素单元发光的控制单元。本发明的优点在于：本发明发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件，将发光像素单元和控制单元设置在同一衬底上，与控制单元与发光单元通过bonding结合方式相比，大大降低了工艺精准要求；同时，该结构的设置也能适用于尺寸较小的二极管芯片，特别是微米量级的二极管芯片，从而可提高显示器件的分辨率，进而能够延长发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件的使用寿命。
其他摘要	本发明涉及一种发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件及其制备方法，所述发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件包括若干个密集排布的发光像素单元，所述发光像素单元设置在衬底上；在同一衬底上还设置有控制同一衬底上发光像素单元发光的控制单元。本发明的优点在于：本发明发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件，将发光像素单元和控制单元设置在同一衬底上，与控制单元与发光单元通过bonding结合方式相比，大大降低了工艺精准要求；同时，该结构的设置也能适用于尺寸较小的二极管芯片，特别是微米量级的二极管芯片，从而可提高显示器件的分辨率，进而能够延长发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件的使用寿命。
主权项	一种发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件，其特征在于：所述发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件包括若干个密集排布的发光像素单元，所述发光像素单元设置在衬底上；在同一衬底上还设置有控制同一衬底上发光像素单元发光的控制单元。
申请日期	2017-12-28
专利号	CN108346675A
专利状态	申请中
申请号	CN201711464632.3
公开（公告）号	CN108346675A
IPC 分类号	H01L27/15
专利代理人	滑春生
代理机构	北京一格知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56900
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	海迪科(南通)光电科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	云峰,张思超,王善力,等. 发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件及其制备方法. CN108346675A[P]. 2018-07-31.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108346675A.PDF（602KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文