具有在棱面上受抑制的电流注入的半导体激光器

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	具有在棱面上受抑制的电流注入的半导体激光器
其他题名	具有在棱面上受抑制的电流注入的半导体激光器
	克莱门斯·菲尔海利希; 安德烈亚斯·莱夫勒
	2018-07-31
专利权人	欧司朗光电半导体有限公司
公开日期	2018-07-31
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	在一个实施形式中，半导体激光器(1)包括半导体层序列(2)。半导体层序列包括n型导电的n型区域(21)，p型导电的p型区域(23)和位于之间的有源区(22)，所述有源区用于产生激光辐射。为了电流注入，能导电的p型接触层(3)直接位于p型区域(23)上。直接在p型接触层(3)上安置导电的并且金属的p型接触结构(4)。半导体层序列(2)的两个棱面(25)形成用于激光辐射的谐振器端面。在直接在所述棱面(25)中的至少一个上的至少一个电流保护区域(5)中，电流注入p型区域(23)中受抑制。p型接触结构(4)与所属的棱面(25)平接，使得p型接触结构(4)并不突出于所属的棱面(25)或反之亦然，其中p型接触层(3)从电流保护区域(5)中的至少一个中去除并且在该电流保护区域(5)中p型接触结构(4)整面地与所述p型区域(23)直接接触。
其他摘要	在一个实施形式中，半导体激光器(1)包括半导体层序列(2)。半导体层序列包括n型导电的n型区域(21)，p型导电的p型区域(23)和位于之间的有源区(22)，所述有源区用于产生激光辐射。为了电流注入，能导电的p型接触层(3)直接位于p型区域(23)上。直接在p型接触层(3)上安置导电的并且金属的p型接触结构(4)。半导体层序列(2)的两个棱面(25)形成用于激光辐射的谐振器端面。在直接在所述棱面(25)中的至少一个上的至少一个电流保护区域(5)中，电流注入p型区域(23)中受抑制。p型接触结构(4)与所属的棱面(25)平接，使得p型接触结构(4)并不突出于所属的棱面(25)或反之亦然，其中p型接触层(3)从电流保护区域(5)中的至少一个中去除并且在该电流保护区域(5)中p型接触结构(4)整面地与所述p型区域(23)直接接触。
主权项	一种半导体激光器(1)，所述半导体激光器具有： -半导体层序列(2)，所述半导体层序列包括n型导电的n型区域(21)，p型导电的p型区域(23)和位于之间的有源区(22)，所述有源区用于产生激光辐射， -用于将电流直接注入所述p型区域(23)中的导电的p型接触层(3)，和 -导电的并且金属的p型接触结构(4)，所述p型接触结构直接位于所述p型接触层(3)上，其中 -所述半导体层序列(2)具有两个棱面(25)，所述棱面形成用于激光辐射的谐振器端面， -在直接在所述棱面(25)中的至少一个上的至少一个电流保护区域(5)中，电流注入所述p型区域(23)中受抑制， -所述p型接触结构(4)与所属的所述棱面(25)平接，使得所述p型接触结构(4)并不突出于所属的所述棱面(25)，或反之亦然，并且 -所述p型接触层(3)从所述电流保护区域(5)中的至少一个中去除并且在所述电流保护区域(5)中所述p型接触结构(4)整面地与所述p型区域(23)直接接触。
申请日期	2016-09-27
专利号	CN108352678A
专利状态	申请中
申请号	CN201680047847.2
公开（公告）号	CN108352678A
IPC 分类号	H01S5/16 \| H01S5/042 \| H01S5/22 \| H01S5/028
专利代理人	丁永凡 \| 周涛
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56894
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	欧司朗光电半导体有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	克莱门斯·菲尔海利希,安德烈亚斯·莱夫勒. 具有在棱面上受抑制的电流注入的半导体激光器. CN108352678A[P]. 2018-07-31.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108352678A.PDF（431KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文