一种图形衬底半导体激光器及其制备方法

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	一种图形衬底半导体激光器及其制备方法
其他题名	一种图形衬底半导体激光器及其制备方法
	朱振; 张新; 夏伟; 徐现刚
	2018-07-27
专利权人	山东华光光电子股份有限公司
公开日期	2018-07-27
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种图形衬底半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下包层、有源层、上包层和接触层，衬底的与下包层接触面上排布有梯形台，接触层上方设置有绝缘层，绝缘层上表面设置有上电极，衬底下表面设置有下电极。其制备方法的步骤包括：（1）在排布有梯形台的图形衬底上依次生长下包层、有源层、上包层和接触层；（2）在接触层上方生长绝缘层；（3）在绝缘膜上形成条状电流注入区；（4）减薄衬底背面；在绝缘层上表面蒸镀上电极，在衬底下表面蒸镀下电极；（5）解理成巴条；（6）解理成管芯。本发明既能形成侧向折射率波导，降低阈值电流，又能形成非吸收窗口，提高腔面COD功率；简化了半导体激光器的芯片制程，降低了生产成本。
其他摘要	一种图形衬底半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下包层、有源层、上包层和接触层，衬底的与下包层接触面上排布有梯形台，接触层上方设置有绝缘层，绝缘层上表面设置有上电极，衬底下表面设置有下电极。其制备方法的步骤包括：（1）在排布有梯形台的图形衬底上依次生长下包层、有源层、上包层和接触层；（2）在接触层上方生长绝缘层；（3）在绝缘膜上形成条状电流注入区；（4）减薄衬底背面；在绝缘层上表面蒸镀上电极，在衬底下表面蒸镀下电极；（5）解理成巴条；（6）解理成管芯。本发明既能形成侧向折射率波导，降低阈值电流，又能形成非吸收窗口，提高腔面COD功率；简化了半导体激光器的芯片制程，降低了生产成本。
主权项	一种图形衬底半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下包层、有源层、上包层和接触层，其特征是：衬底的与下包层接触面上排布有梯形台，梯形台横向平行于衬底的解理面，梯形台纵向垂直于衬底的解理面，且解理面是半导体激光器的腔面；接触层上方设置有绝缘层，绝缘层上表面设置有上电极，衬底下表面设置有下电极。
申请日期	2017-01-20
专利号	CN108336641A
专利状态	申请中
申请号	CN201710040684.1
公开（公告）号	CN108336641A
IPC 分类号	H01S5/042 \| H01S5/20 \| H01S5/30
专利代理人	王书刚
代理机构	济南日新专利代理事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56890
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	山东华光光电子股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	朱振,张新,夏伟,等. 一种图形衬底半导体激光器及其制备方法. CN108336641A[P]. 2018-07-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108336641A.PDF（365KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文