基于光电器件的静态随机存取存储单元及其制备方法

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	基于光电器件的静态随机存取存储单元及其制备方法
其他题名	基于光电器件的静态随机存取存储单元及其制备方法
	陆颢瓒; 高秦昌; 戴瑞萍; 王德波
	2018-07-24
专利权人	南京邮电大学
公开日期	2018-07-24
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了基于光电器件的静态随机存取存储单元及其制备方法，该静态随机存取存储单元的结构主要由发光二极管、光敏二极管、电源、光纤传输线组成；其中，PD1~PD4为光敏二极管，LD1、LD2为激光二极管。利用读/写1/写2三条IO光纤进行数据的读写，并控制存储单元的状态。本发明利用二极管进行存储功能，相比于传统的静态随机存取存储，其二极管工艺也具备高集成度的优点，利用光纤作为信号连接线，具有激光读写的高速度、高抗干扰、抗噪声等优点，同时可以兼容新兴的光处理器。
其他摘要	本发明公开了基于光电器件的静态随机存取存储单元及其制备方法，该静态随机存取存储单元的结构主要由发光二极管、光敏二极管、电源、光纤传输线组成；其中，PD1~PD4为光敏二极管，LD1、LD2为激光二极管。利用读/写1/写2三条IO光纤进行数据的读写，并控制存储单元的状态。本发明利用二极管进行存储功能，相比于传统的静态随机存取存储，其二极管工艺也具备高集成度的优点，利用光纤作为信号连接线，具有激光读写的高速度、高抗干扰、抗噪声等优点，同时可以兼容新兴的光处理器。
主权项	基于光电器件的静态随机存取存储单元，其特征在于：所述基于光电器件的静态随机存取存储单元的结构主要由衬底上集成的激光二极管、光敏二极管以及光隔离墙、光学通路、放电电阻、电源引线、光纤传输线组成；其中，所述光敏二极管有4个分别为PD1~PD4，激光二极管有2个分别为LD1、LD2；PD1的N端与VDD相连，P端与LD1的P端相连；LD1的N端连接0.5VDD；LD2的N端连接0.5VDD，P端连接D4的P端，PD2的N端连接VDD；PD4的N端连接着VDD，P端通过Res连接到GND；PD3的N/P两端分别连接着节点1和2；所述LD3上方设置有Read的光纤及其连接孔，所述PD4上方设置有Write-1的光纤及其连接孔，所述PD3上方设置有Write-2的光纤及其连接孔。
申请日期	2018-04-11
专利号	CN108321158A
专利状态	申请中
申请号	CN201810318635.4
公开（公告）号	CN108321158A
IPC 分类号	H01L27/11 \| H01L29/423 \| H01L21/70
专利代理人	王素琴
代理机构	南京正联知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56888
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	南京邮电大学
推荐引用方式 GB/T 7714	陆颢瓒,高秦昌,戴瑞萍,等. 基于光电器件的静态随机存取存储单元及其制备方法. CN108321158A[P]. 2018-07-24.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108321158A.PDF（806KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文