氮化物半导体发光器件及其制作方法

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	氮化物半导体发光器件及其制作方法
其他题名	氮化物半导体发光器件及其制作方法
	孙钱; 冯美鑫; 周宇; 高宏伟; 杨辉
	2018-07-20
专利权人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
公开日期	2018-07-20
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本申请公开了一种氮化物半导体发光器件及其制作方法。所述氮化物半导体发光器件包括外延结构，所述外延结构具有第一面和与第一面相背对的第二面，所述第一面为面并位于所述外延结构的n型侧，所述第二面位于所述外延结构的p型侧，所述外延结构的n型侧与n型电极电性接触，p型侧与p型电极电性接触，并且所述第一面形成有脊型波导结构。本申请的氮化物半导体发光器件，特别是III‑V族氮化物半导体激光器或超辐射发光二极管具有电阻低、内损耗低、阈值电流小、热阻小、稳定性和可靠性好等优点，同时其制备工艺简单易实施。
其他摘要	本申请公开了一种氮化物半导体发光器件及其制作方法。所述氮化物半导体发光器件包括外延结构，所述外延结构具有第一面和与第一面相背对的第二面，所述第一面为面并位于所述外延结构的n型侧，所述第二面位于所述外延结构的p型侧，所述外延结构的n型侧与n型电极电性接触，p型侧与p型电极电性接触，并且所述第一面形成有脊型波导结构。本申请的氮化物半导体发光器件，特别是III‑V族氮化物半导体激光器或超辐射发光二极管具有电阻低、内损耗低、阈值电流小、热阻小、稳定性和可靠性好等优点，同时其制备工艺简单易实施。
主权项	一种氮化物半导体发光器件，其特征在于包括外延结构，所述外延结构具有第一面和与第一面相背对的第二面，所述第一面为面并位于所述外延结构的n型侧，所述第二面位于所述外延结构的p型侧，所述外延结构的n型侧与n型电极电性接触，p型侧与p型电极电性接触，并且所述第一面形成有脊型波导结构。
申请日期	2017-01-12
专利号	CN108305918A
专利状态	授权
申请号	CN201710022586.5
公开（公告）号	CN108305918A
IPC 分类号	H01L33/00 \| H01L33/16 \| H01L33/20 \| H01L33/44 \| H01S5/22 \| H01S5/30
专利代理人	王锋
代理机构	南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56883
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	孙钱,冯美鑫,周宇,等. 氮化物半导体发光器件及其制作方法. CN108305918A[P]. 2018-07-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108305918A.PDF（569KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文