牢固倒封装微盘腔半导体激光器及其制作方法

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	牢固倒封装微盘腔半导体激光器及其制作方法
其他题名	牢固倒封装微盘腔半导体激光器及其制作方法
	晏长岭; 刘云; 史建伟; 冯源; 郝永芹; 李辉; 王佳彬
	2018-06-22
专利权人	长春理工大学
公开日期	2018-06-22
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	牢固倒封装微盘腔半导体激光器及其制作方法属于半导体激光器制造技术领域。现有倒封装技术不能直接用来解决微盘腔半导体激光器的散热问题。本发明之方法将发光发热区制作成彼此分立的支撑结构和微盘腔；在支撑结构上部的欧姆接触层上制作绝缘层；在微盘腔上部表面制作上电极，同时在绝缘层上表面也形成上电极金属材料层，在衬底的底部表面制作下电极；最后由一个焊接层同时将上电极、电极金属材料层与热沉焊接在一起。本发明之激光器中的彼此分立的支撑结构和微盘腔结构相同，自支撑结构上部的欧姆接触层起依次还有绝缘层、上电极金属材料层，一个焊接层一侧与热沉焊接，所述焊接层的另一侧分别与微盘腔的上电极、电极金属材料层焊接。
其他摘要	牢固倒封装微盘腔半导体激光器及其制作方法属于半导体激光器制造技术领域。现有倒封装技术不能直接用来解决微盘腔半导体激光器的散热问题。本发明之方法将发光发热区制作成彼此分立的支撑结构和微盘腔；在支撑结构上部的欧姆接触层上制作绝缘层；在微盘腔上部表面制作上电极，同时在绝缘层上表面也形成上电极金属材料层，在衬底的底部表面制作下电极；最后由一个焊接层同时将上电极、电极金属材料层与热沉焊接在一起。本发明之激光器中的彼此分立的支撑结构和微盘腔结构相同，自支撑结构上部的欧姆接触层起依次还有绝缘层、上电极金属材料层，一个焊接层一侧与热沉焊接，所述焊接层的另一侧分别与微盘腔的上电极、电极金属材料层焊接。
主权项	一种牢固倒封装微盘腔半导体激光器的制作方法，在衬底(6)上表面依次制作下波导层(5)、有源层(4)、上波导层(3)、欧姆接触层(2)，形成发光发热区(10)，其特征在于，采用光刻、刻蚀技术将所述发光发热区(10)制作成彼此分立的支撑结构(11)和微盘腔(12)；在支撑结构(11)上部的欧姆接触层上制作绝缘层(13)；在微盘腔(12)上部表面制作上电极(1)，同时在绝缘层(13)上表面也形成上电极金属材料层(14)，在衬底(6)的底部表面制作下电极(7)；最后由一个焊接层(8)同时将上电极(1)、电极金属材料层(14)与热沉(9)焊接在一起。
申请日期	2018-01-11
专利号	CN108199256A
专利状态	申请中
申请号	CN201810024642.3
公开（公告）号	CN108199256A
IPC 分类号	H01S5/022 \| H01S5/024
专利代理人	陶尊新
代理机构	长春菁华专利商标代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56842
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	长春理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	晏长岭,刘云,史建伟,等. 牢固倒封装微盘腔半导体激光器及其制作方法. CN108199256A[P]. 2018-06-22.

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CN108199256A.PDF（478KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文