内嵌布拉格光栅的GaN基DFB激光器及其制备方法

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	内嵌布拉格光栅的GaN基DFB激光器及其制备方法
其他题名	内嵌布拉格光栅的GaN基DFB激光器及其制备方法
	李俊泽; 李沫; 张建; 张健
	2018-06-01
专利权人	中国工程物理研究院电子工程研究所
公开日期	2018-06-01
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了内嵌布拉格光栅的GaN基DFB半导体激光器及其制备方法，该方法步骤为：在GaN自支撑衬底上外延限制层；使用纳米压印技术在基片限制层表面利用SiO2制备均匀的布拉格光栅；制备完整外延片；对光栅进行掩埋生长并外延完整激光器结构；制备激光器芯片。本发明解决了利用电子束曝光制备百纳米级光栅不能大面积应用以及过高的制备成本问题，制备的外延片能利用光栅进行纳米异质外延弯曲位错，阻止位错进入上层结构，提升了外延片晶体质量、工艺简便、与常规工艺兼容，能大幅降低GaN基DFB半导体激光器成本，有效地提高的均匀性。利用本方法制备的DFB激光器因为其单模选择性较好，能运用于高功率固体激光器泵浦源。
其他摘要	本发明公开了内嵌布拉格光栅的GaN基DFB半导体激光器及其制备方法，该方法步骤为：在GaN自支撑衬底上外延限制层；使用纳米压印技术在基片限制层表面利用SiO2制备均匀的布拉格光栅；制备完整外延片；对光栅进行掩埋生长并外延完整激光器结构；制备激光器芯片。本发明解决了利用电子束曝光制备百纳米级光栅不能大面积应用以及过高的制备成本问题，制备的外延片能利用光栅进行纳米异质外延弯曲位错，阻止位错进入上层结构，提升了外延片晶体质量、工艺简便、与常规工艺兼容，能大幅降低GaN基DFB半导体激光器成本，有效地提高的均匀性。利用本方法制备的DFB激光器因为其单模选择性较好，能运用于高功率固体激光器泵浦源。
主权项	内嵌布拉格光栅的GaN基DFB半导体激光器，其特征在于：至少包括位于N型GaN自支撑衬底、下限制层和布拉格光栅结构层，所述N型GaN自支撑衬底位于最底层，下限制层位于 N型GaN自支撑衬底上面，布拉格光栅结构层位于下限制层上面。
申请日期	2017-12-20
专利号	CN108110614A
专利状态	申请中
申请号	CN201711386192.4
公开（公告）号	CN108110614A
IPC 分类号	H01S5/12 \| H01S5/323 \| G03F7/00
专利代理人	蒋斯琪
代理机构	成都天嘉专利事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56801
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国工程物理研究院电子工程研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	李俊泽,李沫,张建,等. 内嵌布拉格光栅的GaN基DFB激光器及其制备方法. CN108110614A[P]. 2018-06-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108110614A.PDF（139KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文