一种685nmAlGaInP红光半导体激光器

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	一种685nmAlGaInP红光半导体激光器
其他题名	一种685nmAlGaInP红光半导体激光器
	朱振; 张新; 徐现刚
	2018-05-29
专利权人	山东华光光电子股份有限公司
公开日期	2018-05-29
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种685nm AlGaInP红光半导体激光器，其结构从下至上依次为衬底、下缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、上限制层、上缓冲层和欧姆接触层；下缓冲层为AlxIn1‑xP组分渐变层，x由0.5线性渐变至0.4；上缓冲层为AlyIn1‑yP组分渐变层，y由0.4线性渐变至0.5。本发明通过AlInP组分渐变缓冲层，使得限制层及波导层的In组分增加到0.6。相比于现有的与GaAs晶格匹配的AlGaInP红光半导体激光器，本发明半导体激光器的量子阱层在低应变或者无应变条件下即可获得685nm的激光输出，不会存在高应变量带来的缺陷，同时可以使用厚阱结构，提高半导体激光器的微分效率。
其他摘要	一种685nm AlGaInP红光半导体激光器，其结构从下至上依次为衬底、下缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、上限制层、上缓冲层和欧姆接触层；下缓冲层为AlxIn1‑xP组分渐变层，x由0.5线性渐变至0.4；上缓冲层为AlyIn1‑yP组分渐变层，y由0.4线性渐变至0.5。本发明通过AlInP组分渐变缓冲层，使得限制层及波导层的In组分增加到0.6。相比于现有的与GaAs晶格匹配的AlGaInP红光半导体激光器，本发明半导体激光器的量子阱层在低应变或者无应变条件下即可获得685nm的激光输出，不会存在高应变量带来的缺陷，同时可以使用厚阱结构，提高半导体激光器的微分效率。
主权项	一种685nm AlGaInP红光半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、上限制层、上缓冲层和欧姆接触层；其特征在于，下缓冲层为AlxIn1-xP组分渐变层，x由0.5线性渐变至0.4；上缓冲层为AlyIn1-yP组分渐变层，y由0.4线性渐变至0.5。
申请日期	2016-11-22
专利号	CN108092132A
专利状态	申请中
申请号	CN201611035239.8
公开（公告）号	CN108092132A
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	杨树云
代理机构	济南金迪知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56788
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	山东华光光电子股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	朱振,张新,徐现刚. 一种685nmAlGaInP红光半导体激光器. CN108092132A[P]. 2018-05-29.

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文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108092132A.PDF（337KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文