A METHOD FOR GaN VERTICAL MICROCAVITY SURFACE EMITTING LASER (VCSEL)

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	A METHOD FOR GaN VERTICAL MICROCAVITY SURFACE EMITTING LASER (VCSEL)
其他题名	A METHOD FOR GaN VERTICAL MICROCAVITY SURFACE EMITTING LASER (VCSEL)
	HAN, JUNG; ZHANG, CHENG
	2018-05-23
专利权人	YALE UNIVERSITY
公开日期	2018-05-23
授权国家	欧洲专利局
专利类型	发明申请
摘要	Structures and methods for forming highly uniform and high-porosity gallium-nitride layers with sub-100-nm pore sizes are described. Electrochemical etching of heavily-doped gallium nitride at low bias voltages in concentrated nitric acid is used to form the porous gallium nitride. The porous layers may be used in reflective structures for integrated optical devices such as VCSELs and LEDs.
其他摘要	描述了用于形成具有小于100nm孔径的高度均匀和高孔隙率的氮化镓层的结构和方法。在浓硝酸中在低偏压下对重掺杂氮化镓进行电化学蚀刻以形成多孔氮化镓。多孔层可以用于诸如VCSEL和LED的集成光学器件的反射结构中。
主权项	A porous gallium-nitride layer having a majority of its pores with a maximum transverse width less than approximately 100 nm and having a volumetric porosity greater than 30%.
申请日期	2015-09-30
专利号	EP3201952A4
专利状态	申请中
申请号	EP2015846362
公开（公告）号	EP3201952A4
IPC 分类号	H01L33/32
专利代理人	-
代理机构	THIBON, LAURENT
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56775
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	YALE UNIVERSITY
推荐引用方式 GB/T 7714	HAN, JUNG,ZHANG, CHENG. A METHOD FOR GaN VERTICAL MICROCAVITY SURFACE EMITTING LASER (VCSEL). EP3201952A4[P]. 2018-05-23.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
EP3201952A4.PDF（54KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文