Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 具有多量子阱结构的半导体激光二极管 | |
| 其他题名 | 具有多量子阱结构的半导体激光二极管 |
| 小河直毅 | |
| 2018-05-08 | |
| 专利权人 | 住友电工光电子器件创新株式会社 |
| 公开日期 | 2018-05-08 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本申请公开了具有光栅的半导体激光二极管(LD)。LD包括掩埋光栅的下包覆层、以及有源层和上包覆层。有源层具有彼此交替布置的势垒层和阱层的多量子阱(MQW)结构。MQW结构还包括在势垒层和阱层之间的中间层，并且具有势垒层和阱层的晶格常数之间的晶格常数。中间层的厚度小于1nm。 |
| 其他摘要 | 本申请公开了具有光栅的半导体激光二极管(LD)。LD包括掩埋光栅的下包覆层、以及有源层和上包覆层。有源层具有彼此交替布置的势垒层和阱层的多量子阱(MQW)结构。MQW结构还包括在势垒层和阱层之间的中间层，并且具有势垒层和阱层的晶格常数之间的晶格常数。中间层的厚度小于1nm。 |
| 主权项 | 一种半导体激光二极管，包括： 半导体衬底，其由磷化铟(InP)制成； 光栅，其设置在所述半导体衬底上； n型层，其掩埋所述光栅；以及 有源层，其具有多量子阱(MQW)结构的布置，所述多量子阱结构包括彼此交替堆叠的多个势垒层和多个阱层，所述势垒层具有拉伸应力，并且所述阱层具有压缩应力，所述多量子阱结构还提供了各自夹在所述势垒层和所述阱层之间的多个中间层， 其中，所述中间层在所述势垒层和所述阱层之间各自具有应力并且具有小于1nm的厚度。 |
| 申请日期 | 2017-10-31 |
| 专利号 | CN108011295A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201711043860.3 |
| 公开（公告）号 | CN108011295A |
| IPC 分类号 | H01S5/34 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 李铭 | 崔利梅 |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56751 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电工光电子器件创新株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小河直毅. 具有多量子阱结构的半导体激光二极管. CN108011295A[P]. 2018-05-08. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN108011295A.PDF（258KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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