多脊型半导体激光器及其制作方法

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	多脊型半导体激光器及其制作方法
其他题名	多脊型半导体激光器及其制作方法
	温鹏雁; 张书明; 刘建平; 黄思溢; 李德尧; 张立群; 杨辉
	2018-04-13
专利权人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
公开日期	2018-04-13
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种多脊型半导体激光器及其制作方法，所述多脊型半导体激光器包括衬底、形成于所述衬底上的外延结构，所述外延结构的顶部具有脊型半导体层，所述脊型半导体层包括多个脊型部，所述多脊型半导体激光器还包括多个顶电极，所述多个顶电极形成于所述多个脊型部上并与所述多个脊型部一一对应。本发明提供的多脊型半导体激光器的多个脊型部之间相互独立，当其中一个脊型部对应的有源区退化时，激光器还可以采用其他脊型部和顶电极进行工作，从而延长了激光器的使用寿命，同时，可以通过控制同时工作的脊型部的数量来调节激光输出功率，从而增加了激光器输出功率的调节范围。
其他摘要	本发明公开了一种多脊型半导体激光器及其制作方法，所述多脊型半导体激光器包括衬底、形成于所述衬底上的外延结构，所述外延结构的顶部具有脊型半导体层，所述脊型半导体层包括多个脊型部，所述多脊型半导体激光器还包括多个顶电极，所述多个顶电极形成于所述多个脊型部上并与所述多个脊型部一一对应。本发明提供的多脊型半导体激光器的多个脊型部之间相互独立，当其中一个脊型部对应的有源区退化时，激光器还可以采用其他脊型部和顶电极进行工作，从而延长了激光器的使用寿命，同时，可以通过控制同时工作的脊型部的数量来调节激光输出功率，从而增加了激光器输出功率的调节范围。
主权项	一种多脊型半导体激光器，其特征在于，包括衬底、形成于所述衬底上的外延结构，所述外延结构的顶部具有脊型半导体层，所述脊型半导体层包括多个脊型部，所述多脊型半导体激光器还包括多个顶电极，所述多个顶电极形成于所述多个脊型部上并与所述多个脊型部一一对应。
申请日期	2017-12-12
专利号	CN107910747A
专利状态	申请中
申请号	CN201711320789.9
公开（公告）号	CN107910747A
IPC 分类号	H01S5/22 \| H01S5/042 \| H01S5/32
专利代理人	孙伟峰
代理机构	深圳市铭粤知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56717
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	温鹏雁,张书明,刘建平,等. 多脊型半导体激光器及其制作方法. CN107910747A[P]. 2018-04-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107910747A.PDF（125KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文