一种多波长GaN基非对称量子阱面发射激光器及其制备方法

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	一种多波长GaN基非对称量子阱面发射激光器及其制备方法
其他题名	一种多波长GaN基非对称量子阱面发射激光器及其制备方法
	翁国恩; 陈少强; 胡小波
	2018-04-06
专利权人	华东师范大学
公开日期	2018-04-06
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种多波长GaN基非对称量子阱面发射激光器及其制备方法，涉及半导体激光器领域。采用非对称量子阱作为有源区来实现激光器的多波长输出，包括两个及两个以上激光波长。器件制备过程包括非平面金属键合、激光剥离、腔长控制以及图形化分布布拉格反射镜制作等。这种多波长面发射激光器具有巨大的应用潜力，可用于空间精确测距、太赫兹信号发生器、光混频、激光光谱学、医疗检测以及增强现实(AR)和三维成像等众多领域。本发明的优势还在于易于实现器件的二维阵列结构，非常适合大规模产业化生产，有利于器件的商品化与实用化。
其他摘要	本发明公开了一种多波长GaN基非对称量子阱面发射激光器及其制备方法，涉及半导体激光器领域。采用非对称量子阱作为有源区来实现激光器的多波长输出，包括两个及两个以上激光波长。器件制备过程包括非平面金属键合、激光剥离、腔长控制以及图形化分布布拉格反射镜制作等。这种多波长面发射激光器具有巨大的应用潜力，可用于空间精确测距、太赫兹信号发生器、光混频、激光光谱学、医疗检测以及增强现实(AR)和三维成像等众多领域。本发明的优势还在于易于实现器件的二维阵列结构，非常适合大规模产业化生产，有利于器件的商品化与实用化。
主权项	一种非对称量子阱有源区的设计方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： (1)采用一定数量的量子阱； (2)对所述量子阱在谐振腔内的位置进行精确设计，使得量子阱置于谐振腔内不同腔模对应光场的波腹位置，从而使量子阱与谐振腔内不同腔模光场之间的耦合同时达到最强，得到所述非对称量子阱有源区，实现多波长激光输出。
申请日期	2017-09-27
专利号	CN107887790A
专利状态	申请中
申请号	CN201710888773.1
公开（公告）号	CN107887790A
IPC 分类号	H01S5/34 \| H01S5/187
专利代理人	董红曼
代理机构	上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56711
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	华东师范大学
推荐引用方式 GB/T 7714	翁国恩,陈少强,胡小波. 一种多波长GaN基非对称量子阱面发射激光器及其制备方法. CN107887790A[P]. 2018-04-06.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107887790A.PDF（297KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文