一种具有会聚与选偏功能的硅基V型槽制备方法

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	一种具有会聚与选偏功能的硅基V型槽制备方法
其他题名	一种具有会聚与选偏功能的硅基V型槽制备方法
	刘鹏程; 李明; 闫海涛; 张豪杰; 黄宁博; 王永贞
	2018-03-20
专利权人	濮阳光电产业技术研究院
公开日期	2018-03-20
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明属于涉及数据通信、有源光缆，具体涉及一种具有会聚与选偏功能的硅基V型槽制备方法。一种具有会聚与选偏功能的硅基V型槽制备方法，包括带有45°微反射镜的硅基V型槽的制作步骤，还包括在制备好的硅基V型槽的45°反射镜面上进行ICP刻蚀制备光栅的过程。该方法通过硅刻蚀及镀膜方式，实现带有45°的微反射镜的硅基V型槽波导，以实现VCSEL的光路偏转；并在硅基V型槽的45°反射镜面上制备亚波长光栅，用以实现光的偏振及会聚，使用本方法制作的硅基V型槽提升耦合效率并实现高偏振态的光以便其在光纤中传输时色散更小传播的更远。
其他摘要	本发明属于涉及数据通信、有源光缆，具体涉及一种具有会聚与选偏功能的硅基V型槽制备方法。一种具有会聚与选偏功能的硅基V型槽制备方法，包括带有45°微反射镜的硅基V型槽的制作步骤，还包括在制备好的硅基V型槽的45°反射镜面上进行ICP刻蚀制备光栅的过程。该方法通过硅刻蚀及镀膜方式，实现带有45°的微反射镜的硅基V型槽波导，以实现VCSEL的光路偏转；并在硅基V型槽的45°反射镜面上制备亚波长光栅，用以实现光的偏振及会聚，使用本方法制作的硅基V型槽提升耦合效率并实现高偏振态的光以便其在光纤中传输时色散更小传播的更远。
主权项	一种具有会聚与选偏功能的硅基V型槽制备方法，包括带有45°微反射镜的硅基V型槽的制作步骤，其特征在于，还包括在制备好的硅基V型槽的45°反射镜面上进行ICP刻蚀制备光栅的过程，该过程包括如下步骤：一、将制备好的带有45°微反射镜的硅基V型槽依次进行去离子水冲洗、氮气吹干、移入热氧化炉进行湿氧氧化，待氧化完成后进行快速热退火；二、对经过上述步骤处理过的硅基V型槽进行光刻、显影；三、对上步骤处理过的硅基V型槽进行氮气吹干，然后使用稀释的HF对SiO2进行腐蚀，用以充当第四步硅的掩膜；四、使用ICP完成干刻蚀，使用等离子蚀刻机，对硅进行刻蚀，去除残留的SiO2。
申请日期	2017-12-07
专利号	CN107817554A
专利状态	申请中
申请号	CN201711281529
公开（公告）号	CN107817554A
IPC 分类号	G02B6/122 \| G02B6/124 \| G02B6/136
专利代理人	王传明
代理机构	濮阳华凯知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56689
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	濮阳光电产业技术研究院
推荐引用方式 GB/T 7714	刘鹏程,李明,闫海涛,等. 一种具有会聚与选偏功能的硅基V型槽制备方法. CN107817554A[P]. 2018-03-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107817554A.PDF（85KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文