一种795nm超窄线宽外腔半导体激光器

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	一种795nm超窄线宽外腔半导体激光器
其他题名	一种795nm超窄线宽外腔半导体激光器
	刘兴宇; 邵志强; 孙权; 桂勇雷; 崔洪亮; 邓崇杰
	2018-03-16
专利权人	中国电子科技集团公司第四十九研究所
公开日期	2018-03-16
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种795nm超窄线宽外腔半导体激光器，本发明涉及一种半导体激光器。本发明要解决现有激光器难以满足单模、高功率、高光束质量、窄线宽、高相干、波长可调谐的问题。一种795nm超窄线宽外腔半导体激光器由半导体激光器增益芯片、准直透镜、双折射滤波器、法布里‑珀罗标准具及输出耦合镜组成；所述的半导体激光器增益芯片的出光方向上依次设有准直透镜、双折射滤波器、法布里‑珀罗标准具及输出耦合镜；所述的半导体激光器增益芯片的发射波长为795nm；所述的半导体激光器增益芯片包括DBR反射镜、增益区及窗口层。其可以输出满足应用要求的窄线宽激光，且波长线性连续可调，满足单模、高功率、高光束质量及高相干。
其他摘要	一种795nm超窄线宽外腔半导体激光器，本发明涉及一种半导体激光器。本发明要解决现有激光器难以满足单模、高功率、高光束质量、窄线宽、高相干、波长可调谐的问题。一种795nm超窄线宽外腔半导体激光器由半导体激光器增益芯片、准直透镜、双折射滤波器、法布里‑珀罗标准具及输出耦合镜组成；所述的半导体激光器增益芯片的出光方向上依次设有准直透镜、双折射滤波器、法布里‑珀罗标准具及输出耦合镜；所述的半导体激光器增益芯片的发射波长为795nm；所述的半导体激光器增益芯片包括DBR反射镜、增益区及窗口层。其可以输出满足应用要求的窄线宽激光，且波长线性连续可调，满足单模、高功率、高光束质量及高相干。
主权项	一种795nm超窄线宽外腔半导体激光器，其特征在于一种795nm超窄线宽外腔半导体激光器由半导体激光器增益芯片(1)、准直透镜(2)、双折射滤波器(3)、法布里-珀罗标准具(4)及输出耦合镜(5)组成；所述的半导体激光器增益芯片(1)的出光方向上依次设有准直透镜(2)、双折射滤波器(3)、法布里-珀罗标准具(4)及输出耦合镜(5)；所述的半导体激光器增益芯片(1)的发射波长为795nm；所述的半导体激光器增益芯片(1)包括DBR反射镜(6)、增益区(7)及窗口层(8)。
申请日期	2017-11-22
专利号	CN107809056A
专利状态	申请中
申请号	CN201711173878.5
公开（公告）号	CN107809056A
IPC 分类号	H01S5/14 \| H01S5/06
专利代理人	贾泽纯
代理机构	哈尔滨市松花江专利商标事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56683
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国电子科技集团公司第四十九研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘兴宇,邵志强,孙权,等. 一种795nm超窄线宽外腔半导体激光器. CN107809056A[P]. 2018-03-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107809056A.PDF（75KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文