| LP-MOCVD growth and characterisation of InAsSb ternary | |
| Li XT(李晓婷); Li XT(李晓婷) | |
| 作者部门 | 光电子学研究室 |
| 2005 | |
| 发表期刊 | Chinese Journal of Semiconductors
 |
| ISSN | 0253-4177 |
| 卷号 | 26期号:12页码:45-49 |
| 产权排序 | 1 |
| 学科领域 | 半导体技术 |
| 收录类别 | 中文核心 |
| 语种 | 英语 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/5652 |
| 专题 | 光电子学研究室 |
| 通讯作者 | Li XT(李晓婷) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Li XT,Li XT. LP-MOCVD growth and characterisation of InAsSb ternary[J]. Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(12):45-49. |
| APA | Li XT,&李晓婷.(2005).LP-MOCVD growth and characterisation of InAsSb ternary.Chinese Journal of Semiconductors,26(12),45-49. |
| MLA | Li XT,et al."LP-MOCVD growth and characterisation of InAsSb ternary".Chinese Journal of Semiconductors 26.12(2005):45-49. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| LP-MOCVD growth and （448KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [Li XT(李晓婷)]的文章 |
| [李晓婷]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [Li XT(李晓婷)]的文章 |
| [李晓婷]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [Li XT(李晓婷)]的文章 |
| [李晓婷]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论