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半導体レーザパッケージの冷却システム
其他题名半導体レーザパッケージの冷却システム
熊本 健二; 山崎 浩次; 日向 進
2010-06-17
专利权人MITSUBISHI ELECTRIC CORP
公开日期2010-06-17
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【課題】水冷ヒートシンクや通水路に穴が開いた場合であっても冷却水の水漏れを抑制する。 【解決手段】本発明は、多数の水冷ヒートシンクを用いた半導体レーザパッケーシを使用したレーザ発振器等の装置において、半導体レーザパッケージを使用する圧力環境を、その冷却の為に通水する循環系の圧力より高く設定し維持することにより、例えば内一個の水漏れ故障における他への影響を無くすことができ、高額な半導体レーザパッケージの損失を最小限と留めることが可能となり、延いてはメンテナンスコストの削減が図れる。 【選択図】図1
其他摘要本发明的目的是即使在水冷散热器或水通道中形成孔时也能抑制冷却水的泄漏。 根据本发明,在诸如使用使用大量水冷散热器的半导体激光器封装的激光振荡器之类的装置中,使用半导体激光器组件来通过压力环境以使其冷却的循环系统。例如,通过设定和保持高于压力,可以消除一个漏水故障对另一个漏水故障的影响,最小化昂贵的半导体激光器封装的损耗,以及维护成本可以减少。 [选图]图1
主权项-
申请日期2008-12-08
专利号JP2010135704A
专利状态失效
申请号JP2008312608
公开(公告)号JP2010135704A
IPC 分类号H01S3/042 | H01S5/024 | H01L23/473 | H01L23/34 | H01S3/04 | H01S5/00
专利代理人酒井 宏明
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56429
专题半导体激光器专利数据库
作者单位MITSUBISHI ELECTRIC CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
熊本 健二,山崎 浩次,日向 進. 半導体レーザパッケージの冷却システム. JP2010135704A[P]. 2010-06-17.
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JP2010135704A.PDF(65KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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