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用于制造绝缘膜和半导体封装的方法
其他题名用于制造绝缘膜和半导体封装的方法
郑遇载; 庆有真; 崔炳柱; 崔宝允; 李光珠; 郑珉寿
2019-04-16
专利权人株式会社LG化学
公开日期2019-04-16
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明涉及用于制造绝缘层的方法,其可以使固化时聚合物收缩引起的翘曲程度最小化并确保位于其中的半导体芯片的稳定性;以及用于使用由绝缘层的制造方法获得的绝缘层制造半导体封装的方法。
其他摘要本发明涉及用于制造绝缘层的方法,其可以使固化时聚合物收缩引起的翘曲程度最小化并确保位于其中的半导体芯片的稳定性;以及用于使用由绝缘层的制造方法获得的绝缘层制造半导体封装的方法。
主权项一种用于制造绝缘层的方法,包括: 将至少两个或更多个半导体元件密封在光敏树脂层与聚合物树脂层之间,其中所述聚合物树脂层形成在基底上并且包含碱溶性树脂和可热固化粘结剂; 使所述光敏树脂层暴露于光并进行碱显影以形成光敏树脂块,以及同时使暴露的聚合物树脂层进行碱显影以形成聚合物树脂块;以及 使所述聚合物树脂块固化, 其中在所述碱显影步骤中,至少一个半导体元件被密封在彼此接触的所述光敏树脂块与所述聚合物树脂块之间。
申请日期2018-07-02
专利号CN109643698A
专利状态申请中
申请号CN201880003227.8
公开(公告)号CN109643698A
IPC 分类号H01L23/532 | H01L23/31 | H01B3/30
专利代理人赵丹 | 郑毅
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56169
专题半导体激光器专利数据库
作者单位株式会社LG化学
推荐引用方式
GB/T 7714
郑遇载,庆有真,崔炳柱,等. 用于制造绝缘膜和半导体封装的方法. CN109643698A[P]. 2019-04-16.
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CN109643698A.PDF(834KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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