半导体封装装置及其制造方法

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	半导体封装装置及其制造方法
其他题名	半导体封装装置及其制造方法
	房昱安; 曾吉生
	2019-05-03
专利权人	日月光半导体制造股份有限公司
公开日期	2019-05-03
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种半导体封装装置包括衬底、电子组件及保护层。所述衬底具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述衬底限定穿透所述衬底的第一开口。所述电子组件安置于所述衬底的所述第一表面上。所述保护层安置于所述衬底的所述第二表面上。所述保护层具有邻近所述第一开口的第一部分及安置成比所述保护层的所述第一部分更远离所述第一开口的第二部分。所述保护层的所述第一部分具有背离所述衬底的所述第二表面的表面。所述保护层的所述第二部分具有背离所述衬底的所述第二表面的表面。所述保护层的所述第一部分的所述表面与所述衬底的所述第二表面之间的距离大于所述保护层的所述第二部分的所述表面与所述衬底的所述第二表面之间的距离。
其他摘要	一种半导体封装装置包括衬底、电子组件及保护层。所述衬底具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述衬底限定穿透所述衬底的第一开口。所述电子组件安置于所述衬底的所述第一表面上。所述保护层安置于所述衬底的所述第二表面上。所述保护层具有邻近所述第一开口的第一部分及安置成比所述保护层的所述第一部分更远离所述第一开口的第二部分。所述保护层的所述第一部分具有背离所述衬底的所述第二表面的表面。所述保护层的所述第二部分具有背离所述衬底的所述第二表面的表面。所述保护层的所述第一部分的所述表面与所述衬底的所述第二表面之间的距离大于所述保护层的所述第二部分的所述表面与所述衬底的所述第二表面之间的距离。
主权项	一种半导体封装装置，其包括：衬底，其具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，所述衬底限定穿透所述衬底的第一开口；电子组件，其安置于所述衬底的所述第一表面上；保护层，其安置于所述衬底的所述第二表面上，所述保护层包括邻近所述第一开口的第一部分及安置成比所述保护层的所述第一部分更远离所述第一开口的第二部分，所述保护层的所述第一部分具有背离所述衬底的所述第二表面的表面，所述保护层的所述第二部分具有背离所述衬底的所述第二表面的表面，其中所述保护层的所述第一部分的所述表面与所述衬底的所述第二表面之间的距离大于所述保护层的所述第二部分的所述表面与所述衬底的所述第二表面之间的距离。
申请日期	2018-03-08
专利号	CN109712942A
专利状态	申请中
申请号	CN201810191125.5
公开（公告）号	CN109712942A
IPC 分类号	H01L23/31 \| H01L21/56
专利代理人	蕭輔寬
代理机构	北京律盟知识产权代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56158
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日月光半导体制造股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	房昱安,曾吉生. 半导体封装装置及其制造方法. CN109712942A[P]. 2019-05-03.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109712942A.PDF（2050KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文