一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片及其制备方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片及其制备方法
其他题名	一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片及其制备方法
	黄华茂; 杨倬波; 王洪; 胡晓龙
	2017-11-21
专利权人	华南理工大学
公开日期	2017-11-21
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片及其制备方法。本发明的LED芯片为倒装薄膜结构，外延薄膜仅包含p‑GaN层、量子阱层和n‑GaN层，在p‑GaN层下面是高反射率的金属反射电极，在n‑GaN层上面是介质分布布拉格反射镜，金属反射电极和介质DBR构成谐振腔的反射镜，谐振腔的腔长是波长数量级。本发明制备方法将LED外延片的衬底通过第一次光电辅助化学腐蚀和第二次化学腐蚀去除，再通过金属键合使LED外延片分布在导热基板上，得到所述化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片。本发明制备方法不需要引入额外的材料，因此不会造成外延生长设备真空腔室的污染，同时有利于降低谐振腔的长度。
其他摘要	本发明公开了一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片及其制备方法。本发明的LED芯片为倒装薄膜结构，外延薄膜仅包含p‑GaN层、量子阱层和n‑GaN层，在p‑GaN层下面是高反射率的金属反射电极，在n‑GaN层上面是介质分布布拉格反射镜，金属反射电极和介质DBR构成谐振腔的反射镜，谐振腔的腔长是波长数量级。本发明制备方法将LED外延片的衬底通过第一次光电辅助化学腐蚀和第二次化学腐蚀去除，再通过金属键合使LED外延片分布在导热基板上，得到所述化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片。本发明制备方法不需要引入额外的材料，因此不会造成外延生长设备真空腔室的污染，同时有利于降低谐振腔的长度。
主权项	一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片，其特征在于，为倒装薄膜结构，且呈圆盘状或长方体状；由导热基板至光出射方向，依次包括导热基板、第二键合金属层、第一键合金属层、反射电极的金属保护层、反射电极、p-GaN层、量子阱层、n-GaN层以及介质DBR；所述第一键合金属层、反射电极的金属保护层、反射电极、p-GaN层、量子阱层、n-GaN层以及介质DBR的外部均包围着介质钝化层；在介质DBR的中心位置开有n-电极区域，分布有n-电极，且n-电极直接与n-GaN层相连通；在第二键合金属层的上部环绕芯片分布有环形的p-电极，p-电极依次通过第一键合金属层、第二键合金属层、反射电极的金属保护层以及反射电极进而与p-GaN层相连通。
申请日期	2017-08-30
专利号	CN107369746A
专利状态	申请中
申请号	CN201710764425
公开（公告）号	CN107369746A
IPC 分类号	H01L33/00 \| H01L33/20 \| H01L33/48 \| H01L33/60 \| H01L33/62
专利代理人	何淑珍
代理机构	广州粤高专利商标代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56120
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	华南理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	黄华茂,杨倬波,王洪,等. 一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片及其制备方法. CN107369746A[P]. 2017-11-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107369746A.PDF（210KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文