化合物半导体元件的封装结构及其制造方法

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	化合物半导体元件的封装结构及其制造方法
其他题名	化合物半导体元件的封装结构及其制造方法
	陈滨全; 林升柏
	2009-09-30
专利权人	展晶科技(深圳)有限公司
公开日期	2009-09-30
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明揭示一种化合物半导体元件的封装结构及其制造方法，该封装结构包含薄膜基板、晶粒、至少一个金属导线及透明封胶材料。该薄膜基板包含第一导电膜、第二导电膜及绝缘介电材料。该晶粒固定于该第一导电膜的表面，并通过该金属导线与该第一导电膜或该第二导电膜电连接。该透明封胶材料覆盖于该第一导电膜、该第二导电膜及该晶粒上。该第一导电膜及该第二导电膜相对于该透明封胶的表面分别作为电极，该绝缘介电材料介于该第一导电膜及该第二导电膜之间。本发明能够使元件的厚度更薄而节省所占空间，并解决散热不佳的问题。
其他摘要	本发明揭示一种化合物半导体元件的封装结构及其制造方法，该封装结构包含薄膜基板、晶粒、至少一个金属导线及透明封胶材料。该薄膜基板包含第一导电膜、第二导电膜及绝缘介电材料。该晶粒固定于该第一导电膜的表面，并通过该金属导线与该第一导电膜或该第二导电膜电连接。该透明封胶材料覆盖于该第一导电膜、该第二导电膜及该晶粒上。该第一导电膜及该第二导电膜相对于该透明封胶的表面分别作为电极，该绝缘介电材料介于该第一导电膜及该第二导电膜之间。本发明能够使元件的厚度更薄而节省所占空间，并解决散热不佳的问题。
主权项	一种化合物半导体元件的封装结构，包含：薄膜基板，包含第一导电膜、第二导电膜及绝缘介电材料，其中该绝缘介电材料介于该第一导电膜及该第二导电膜之间；晶粒，固定于该第一导电膜的表面；以及透明封胶材料，覆盖于该第一导电膜、该第二导电膜及该晶粒。
申请日期	2008-03-25
专利号	CN101546737A
专利状态	授权
申请号	CN200810086319
公开（公告）号	CN101546737A
IPC 分类号	H01L23/31 \| H01L23/367 \| H01L23/488 \| H01L21/50 \| H01L21/56 \| H01L21/60 \| H01L33/00 \| H01L31/0203 \| H01L31/024 \| H01L31/18 \| H01S5/02 \| H01S5/024
专利代理人	陈晨 \| 吴世华
代理机构	隆天国际知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55733
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	展晶科技(深圳)有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	陈滨全,林升柏. 化合物半导体元件的封装结构及其制造方法. CN101546737A[P]. 2009-09-30.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101546737A.PDF（578KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文