Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
一种高效VCSEL芯片及其制造方法 | |
其他题名 | 一种高效VCSEL芯片及其制造方法 |
窦志珍; 曹广亮; 刘留; 苏小平 | |
2019-09-03 | |
专利权人 | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
公开日期 | 2019-09-03 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 本发明涉及激光芯片技术领域,尤其涉及一种高效VCSEL芯片及其制造方法,该VCSEL芯片包括散热层、外延片,散热层包括多层Cu层,散热层的底层成型有若干散热孔,外延片包括N‑DBR、量子阱、氧化层、P‑DBR和第一欧姆接触层,外延片背离第一欧姆接触层的一侧依次生长有第二SiNx层、ITO层和N‑contact,第一欧姆接触层上生长有第一SiNx层,第一SiNx层被蚀刻出欧姆接触孔,欧姆接触孔内填充有第二欧姆接触层,第二欧姆接触层的截面呈倒T字形且覆盖在第一SiNx层上,第二欧姆接触层与散热层连接。本发明制造得到的VCSEL芯片通过散热层和散热孔提高了芯片本身的散热能力,从而提高了饱和电流值,使得功率效率和斜率效率均得以提高,且电流集中注入时能够得到均匀分布,减少横模的产生。 |
其他摘要 | 本发明涉及激光芯片技术领域,尤其涉及一种高效VCSEL芯片及其制造方法,该VCSEL芯片包括散热层、外延片,散热层包括多层Cu层,散热层的底层成型有若干散热孔,外延片包括N‑DBR、量子阱、氧化层、P‑DBR和第一欧姆接触层,外延片背离第一欧姆接触层的一侧依次生长有第二SiNx层、ITO层和N‑contact,第一欧姆接触层上生长有第一SiNx层,第一SiNx层被蚀刻出欧姆接触孔,欧姆接触孔内填充有第二欧姆接触层,第二欧姆接触层的截面呈倒T字形且覆盖在第一SiNx层上,第二欧姆接触层与散热层连接。本发明制造得到的VCSEL芯片通过散热层和散热孔提高了芯片本身的散热能力,从而提高了饱和电流值,使得功率效率和斜率效率均得以提高,且电流集中注入时能够得到均匀分布,减少横模的产生。 |
主权项 | 一种高效VCSEL芯片,其特征在于,包括散热层、外延片,所述散热层包括重叠生长的多层Cu层,所述散热层的底层成型有若干散热孔,所述外延片包括依次重叠生长的N-DBR、量子阱、氧化层、P-DBR和第一欧姆接触层,所述外延片背离第一欧姆接触层的一侧依次生长有第二SiNx层、ITO层和N-contact; 所述第一欧姆接触层上生长有第一SiNx层,所述第一SiNx层被蚀刻出欧姆接触孔,所述欧姆接触孔内填充有第二欧姆接触层,所述第二欧姆接触层的截面呈倒T字形且覆盖在第一SiNx层上,所述第二欧姆接触层与散热层连接。 |
申请日期 | 2019-06-17 |
专利号 | CN110197992A |
专利状态 | 申请中 |
申请号 | CN201910523158.X |
公开(公告)号 | CN110197992A |
IPC 分类号 | H01S5/024 | H01S5/183 | H01S5/187 | H01S5/34 | H01S5/343 |
专利代理人 | 彭啟强 |
代理机构 | 广州市华学知识产权代理有限公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55504 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 窦志珍,曹广亮,刘留,等. 一种高效VCSEL芯片及其制造方法. CN110197992A[P]. 2019-09-03. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN110197992A.PDF(949KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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