一种高效VCSEL芯片及其制造方法

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	一种高效VCSEL芯片及其制造方法
其他题名	一种高效VCSEL芯片及其制造方法
	窦志珍; 曹广亮; 刘留; 苏小平
	2019-09-03
专利权人	威科赛乐微电子股份有限公司
公开日期	2019-09-03
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及激光芯片技术领域，尤其涉及一种高效VCSEL芯片及其制造方法，该VCSEL芯片包括散热层、外延片，散热层包括多层Cu层，散热层的底层成型有若干散热孔，外延片包括N‑DBR、量子阱、氧化层、P‑DBR和第一欧姆接触层，外延片背离第一欧姆接触层的一侧依次生长有第二SiNx层、ITO层和N‑contact，第一欧姆接触层上生长有第一SiNx层，第一SiNx层被蚀刻出欧姆接触孔，欧姆接触孔内填充有第二欧姆接触层，第二欧姆接触层的截面呈倒T字形且覆盖在第一SiNx层上，第二欧姆接触层与散热层连接。本发明制造得到的VCSEL芯片通过散热层和散热孔提高了芯片本身的散热能力，从而提高了饱和电流值，使得功率效率和斜率效率均得以提高，且电流集中注入时能够得到均匀分布，减少横模的产生。
其他摘要	本发明涉及激光芯片技术领域，尤其涉及一种高效VCSEL芯片及其制造方法，该VCSEL芯片包括散热层、外延片，散热层包括多层Cu层，散热层的底层成型有若干散热孔，外延片包括N‑DBR、量子阱、氧化层、P‑DBR和第一欧姆接触层，外延片背离第一欧姆接触层的一侧依次生长有第二SiNx层、ITO层和N‑contact，第一欧姆接触层上生长有第一SiNx层，第一SiNx层被蚀刻出欧姆接触孔，欧姆接触孔内填充有第二欧姆接触层，第二欧姆接触层的截面呈倒T字形且覆盖在第一SiNx层上，第二欧姆接触层与散热层连接。本发明制造得到的VCSEL芯片通过散热层和散热孔提高了芯片本身的散热能力，从而提高了饱和电流值，使得功率效率和斜率效率均得以提高，且电流集中注入时能够得到均匀分布，减少横模的产生。
主权项	一种高效VCSEL芯片，其特征在于，包括散热层、外延片，所述散热层包括重叠生长的多层Cu层，所述散热层的底层成型有若干散热孔，所述外延片包括依次重叠生长的N-DBR、量子阱、氧化层、P-DBR和第一欧姆接触层，所述外延片背离第一欧姆接触层的一侧依次生长有第二SiNx层、ITO层和N-contact；所述第一欧姆接触层上生长有第一SiNx层，所述第一SiNx层被蚀刻出欧姆接触孔，所述欧姆接触孔内填充有第二欧姆接触层，所述第二欧姆接触层的截面呈倒T字形且覆盖在第一SiNx层上，所述第二欧姆接触层与散热层连接。
申请日期	2019-06-17
专利号	CN110197992A
专利状态	申请中
申请号	CN201910523158.X
公开（公告）号	CN110197992A
IPC 分类号	H01S5/024 \| H01S5/183 \| H01S5/187 \| H01S5/34 \| H01S5/343
专利代理人	彭啟强
代理机构	广州市华学知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55504
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	威科赛乐微电子股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	窦志珍,曹广亮,刘留,等. 一种高效VCSEL芯片及其制造方法. CN110197992A[P]. 2019-09-03.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110197992A.PDF（949KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文