单颗可变色阵列型VCSEL芯片及其制造方法

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	单颗可变色阵列型VCSEL芯片及其制造方法
其他题名	单颗可变色阵列型VCSEL芯片及其制造方法
	窦志珍; 曹广亮; 刘留; 苏小平
	2019-08-30
专利权人	威科赛乐微电子股份有限公司
公开日期	2019-08-30
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了单颗可变色阵列型VCSEL芯片及其制造方法，VCSEL芯片包括量子阱、第一过渡层和第二过渡层；第一过渡层上设置有第一GaAs柱，第一GaAs柱上独立生长有ODR层，ODR层被蚀刻形成第一台柱，第一台柱蒸镀有镜面层，三个第一台柱的镜面层上覆盖有同一外延片键合层，且外延片键合层覆盖镜面层外侧直至第一过渡层，外延片键合层上设置有Si片、P‑contact；第二过渡层上设置有三个独立的第二GaAs柱，第二GaAs柱上生长有DBR层，DBR层被蚀刻形成第二台柱，第二台柱蒸镀有N‑contact，N‑contact在第二台柱的顶面设有出光孔。本发明的VCSEL芯片采用“过渡层+MQW+过渡层”结构提高了载流子密度，使VCSEL受激发时功率效率提高，使用ITO层使电流扩展更加均匀，减少了横模的产生。
其他摘要	本发明公开了单颗可变色阵列型VCSEL芯片及其制造方法，VCSEL芯片包括量子阱、第一过渡层和第二过渡层；第一过渡层上设置有第一GaAs柱，第一GaAs柱上独立生长有ODR层，ODR层被蚀刻形成第一台柱，第一台柱蒸镀有镜面层，三个第一台柱的镜面层上覆盖有同一外延片键合层，且外延片键合层覆盖镜面层外侧直至第一过渡层，外延片键合层上设置有Si片、P‑contact；第二过渡层上设置有三个独立的第二GaAs柱，第二GaAs柱上生长有DBR层，DBR层被蚀刻形成第二台柱，第二台柱蒸镀有N‑contact，N‑contact在第二台柱的顶面设有出光孔。本发明的VCSEL芯片采用“过渡层+MQW+过渡层”结构提高了载流子密度，使VCSEL受激发时功率效率提高，使用ITO层使电流扩展更加均匀，减少了横模的产生。
主权项	单颗可变色阵列型VCSEL芯片，其特征在于，所述VCSEL芯片包括量子阱和分别设置在量子阱相对两侧的第一过渡层和第二过渡层；所述第一过渡层上设置有三个独立的第一GaAs柱，三个所述第一GaAs柱上均独立生长制成有覆盖第一GaAs柱的ODR层，所述ODR层被蚀刻至ODR底层形成第一台柱，所述第一台柱的侧面和顶面均蒸镀有镜面层，三个所述第一台柱的镜面层上覆盖有同一外延片键合层，且所述外延片键合层覆盖镜面层外侧直至第一过渡层，所述外延片键合层上设置有Si片，所述Si片上蒸镀有Si片键合层，所述Si片键合层键合在外延片键合层上，所述Si片上蒸镀有P-contact；所述第二过渡层上设置有三个独立的第二GaAs柱，三个所述第二GaAs柱上均独立生长制成有覆盖第一GaAs柱的DBR层，所述DBR层被蚀刻至DBR底层形成第二台柱，所述第二台柱的侧面和顶面均蒸镀有N-contact，所述N-contact在第二台柱的顶面设有出光孔。
申请日期	2019-06-18
专利号	CN110190515A
专利状态	申请中
申请号	CN201910535398.1
公开（公告）号	CN110190515A
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/343
专利代理人	李欧
代理机构	广州市华学知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55490
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	威科赛乐微电子股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	窦志珍,曹广亮,刘留,等. 单颗可变色阵列型VCSEL芯片及其制造方法. CN110190515A[P]. 2019-08-30.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110190515A.PDF（1390KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文