半导体激光器和用于制造这种半导体激光器的方法

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	半导体激光器和用于制造这种半导体激光器的方法
其他题名	半导体激光器和用于制造这种半导体激光器的方法
	胡贝特·哈尔布里特; 安德烈亚斯·普洛斯尔; 罗兰德·海因里希·恩茨曼; 马丁·鲁道夫·贝林格
	2019-08-30
专利权人	欧司朗光电半导体有限公司
公开日期	2019-08-30
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	在一个实施方式中，半导体激光器(1)包括表面发射的半导体激光器芯片(4)，所述半导体激光器芯片具有：半导体层序列(40)，所述半导体层序列具有用于产生激光辐射(L)的有源区(41)；和光出射面(44)，所述光出射面垂直于半导体层序列(4)的生长方向(G)取向。此外，半导体激光器(1)包含衍射光学元件(3)，所述衍射光学元件设计用于扩宽和分配激光辐射(L)，使得半导体激光器(1)优选是人眼安全的。衍射光学元件(3)的光学有效结构(33)由具有至少65或2.0的折射率的材料构成。
其他摘要	在一个实施方式中，半导体激光器(1)包括表面发射的半导体激光器芯片(4)，所述半导体激光器芯片具有：半导体层序列(40)，所述半导体层序列具有用于产生激光辐射(L)的有源区(41)；和光出射面(44)，所述光出射面垂直于半导体层序列(4)的生长方向(G)取向。此外，半导体激光器(1)包含衍射光学元件(3)，所述衍射光学元件设计用于扩宽和分配激光辐射(L)，使得半导体激光器(1)优选是人眼安全的。衍射光学元件(3)的光学有效结构(33)由具有至少65或2.0的折射率的材料构成。
主权项	一种半导体激光器(1)，所述半导体激光器具有： -至少一个表面发射的半导体激光器芯片(4)，所述半导体激光器芯片包括：半导体层序列(40)，所述半导体层序列具有用于产生激光辐射(L)的至少一个有源区(41)；并且包括光出射面(44)，所述光出射面垂直于所述半导体层序列(4)的生长方向(G)取向，以及 -衍射光学元件(3)，所述衍射光学元件设计用于扩宽所述激光辐射(L)和使所述激光辐射散布开，其中 -所述衍射光学元件(3)的光学有效结构(33)由关于所述激光辐射(L)的最大强度的波长具有至少65的折射率的材料构成，以及 -所述半导体激光器(1)由于通过所述衍射光学元件(3)而使所述激光辐射(L)扩宽和散布开是人眼安全的。
申请日期	2018-01-09
专利号	CN110192312A
专利状态	申请中
申请号	CN201880007155.4
公开（公告）号	CN110192312A
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/042 \| H01S5/022 \| H01S5/42
专利代理人	丁永凡 \| 张春水
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55489
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	欧司朗光电半导体有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	胡贝特·哈尔布里特,安德烈亚斯·普洛斯尔,罗兰德·海因里希·恩茨曼,等. 半导体激光器和用于制造这种半导体激光器的方法. CN110192312A[P]. 2019-08-30.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110192312A.PDF（1508KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文