Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
一种小间距密排垂直腔面发射激光器及其制备方法 | |
其他题名 | 一种小间距密排垂直腔面发射激光器及其制备方法 |
王俊; 刘恒; 谭少阳; 荣宇峰 | |
2019-08-16 | |
专利权人 | 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 |
公开日期 | 2019-08-16 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 本发明提供一种小间距密排垂直腔面发射激光器及其制备方法,其中,激光器包括:衬底、外延层、制备在外延层上的Mesa台面、上电极以及下电极;Mesa台面为多个,多个Mesa台面排布于外延层的一侧表面上,任一Mesa台面形成外延层的发光点,任一Mesa台面上设置有上电极,衬底一侧表面上设置有下电极,相邻Mesa台面之间的中心间距为8~20μm,相邻Mesa台面之间的边缘间距为0.5~5μm。本发明通过在外延片背面沉积了一层氧化硅、氮化硅等介质材料。通过调节材料的厚度和应力水平,降低了外延片的翘曲程度,从而提升了小间距密排垂直腔面发射激光器制作中的光刻精度,实现了小间距密排垂直腔面发射激光器的制备。 |
其他摘要 | 本发明提供一种小间距密排垂直腔面发射激光器及其制备方法,其中,激光器包括:衬底、外延层、制备在外延层上的Mesa台面、上电极以及下电极;Mesa台面为多个,多个Mesa台面排布于外延层的一侧表面上,任一Mesa台面形成外延层的发光点,任一Mesa台面上设置有上电极,衬底一侧表面上设置有下电极,相邻Mesa台面之间的中心间距为8~20μm,相邻Mesa台面之间的边缘间距为0.5~5μm。本发明通过在外延片背面沉积了一层氧化硅、氮化硅等介质材料。通过调节材料的厚度和应力水平,降低了外延片的翘曲程度,从而提升了小间距密排垂直腔面发射激光器制作中的光刻精度,实现了小间距密排垂直腔面发射激光器的制备。 |
主权项 | 一种小间距密排垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述小间距密排垂直腔面发射激光器包括:衬底、外延层、制备在外延层上的Mesa台面、上电极以及下电极; 所述Mesa台面为多个,多个Mesa台面排布于所述外延层的一侧表面上,任一所述Mesa台面形成所述外延层的发光点,任一所述Mesa台面上设置有所述上电极,所述衬底一侧表面上设置有所述下电极,相邻Mesa台面之间的中心间距为8~20μm,相邻Mesa台面之间的边缘间距为0.5~5μm。 |
申请日期 | 2019-05-13 |
专利号 | CN110137802A |
专利状态 | 申请中 |
申请号 | CN201910394087.8 |
公开(公告)号 | CN110137802A |
IPC 分类号 | H01S5/183 | H01S5/042 | H01S5/187 |
专利代理人 | 杨淑霞 |
代理机构 | 苏州国诚专利代理有限公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55446 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王俊,刘恒,谭少阳,等. 一种小间距密排垂直腔面发射激光器及其制备方法. CN110137802A[P]. 2019-08-16. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN110137802A.PDF(342KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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