一种小间距密排垂直腔面发射激光器及其制备方法

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	一种小间距密排垂直腔面发射激光器及其制备方法
其他题名	一种小间距密排垂直腔面发射激光器及其制备方法
	王俊; 刘恒; 谭少阳; 荣宇峰
	2019-08-16
专利权人	苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
公开日期	2019-08-16
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供一种小间距密排垂直腔面发射激光器及其制备方法，其中，激光器包括：衬底、外延层、制备在外延层上的Mesa台面、上电极以及下电极；Mesa台面为多个，多个Mesa台面排布于外延层的一侧表面上，任一Mesa台面形成外延层的发光点，任一Mesa台面上设置有上电极，衬底一侧表面上设置有下电极，相邻Mesa台面之间的中心间距为8～20μm，相邻Mesa台面之间的边缘间距为0.5～5μm。本发明通过在外延片背面沉积了一层氧化硅、氮化硅等介质材料。通过调节材料的厚度和应力水平，降低了外延片的翘曲程度，从而提升了小间距密排垂直腔面发射激光器制作中的光刻精度，实现了小间距密排垂直腔面发射激光器的制备。
其他摘要	本发明提供一种小间距密排垂直腔面发射激光器及其制备方法，其中，激光器包括：衬底、外延层、制备在外延层上的Mesa台面、上电极以及下电极；Mesa台面为多个，多个Mesa台面排布于外延层的一侧表面上，任一Mesa台面形成外延层的发光点，任一Mesa台面上设置有上电极，衬底一侧表面上设置有下电极，相邻Mesa台面之间的中心间距为8～20μm，相邻Mesa台面之间的边缘间距为0.5～5μm。本发明通过在外延片背面沉积了一层氧化硅、氮化硅等介质材料。通过调节材料的厚度和应力水平，降低了外延片的翘曲程度，从而提升了小间距密排垂直腔面发射激光器制作中的光刻精度，实现了小间距密排垂直腔面发射激光器的制备。
主权项	一种小间距密排垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述小间距密排垂直腔面发射激光器包括：衬底、外延层、制备在外延层上的Mesa台面、上电极以及下电极；所述Mesa台面为多个，多个Mesa台面排布于所述外延层的一侧表面上，任一所述Mesa台面形成所述外延层的发光点，任一所述Mesa台面上设置有所述上电极，所述衬底一侧表面上设置有所述下电极，相邻Mesa台面之间的中心间距为8～20μm，相邻Mesa台面之间的边缘间距为0.5～5μm。
申请日期	2019-05-13
专利号	CN110137802A
专利状态	申请中
申请号	CN201910394087.8
公开（公告）号	CN110137802A
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/042 \| H01S5/187
专利代理人	杨淑霞
代理机构	苏州国诚专利代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55446
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	王俊,刘恒,谭少阳,等. 一种小间距密排垂直腔面发射激光器及其制备方法. CN110137802A[P]. 2019-08-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110137802A.PDF（342KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文