基于MEMS微镜扫描的VCSEL单发光点光源系统

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	基于MEMS微镜扫描的VCSEL单发光点光源系统
其他题名	基于MEMS微镜扫描的VCSEL单发光点光源系统
	王俊; 刘恒; 谭少阳
	2019-07-05
专利权人	苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
公开日期	2019-07-05
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供一种基于MEMS微镜扫描的VCSEL单发光点光源系统，其包括：单发光点VCSEL激光器以及MEMS微镜；单发光点VCSEL激光器包括：背面电极、衬底层、外延层、正面电极，正面电极、外延层、衬底层、背面电极自上而下依次层叠设置，MEMS微镜位于单发光点VCSEL激光器的出射光路上，MEMS微镜包括：反射镜以及驱动反射镜转动的驱动机构，反射镜具有第一转轴以及第二转轴，第一转轴与第二转轴相垂直。本发明通过MEMS微镜将单发光点VCSEL激光器发射的光线进行反射，快速地以点阵的方式投射到物体上，实现物体的成像，其避免了设置密集的激光器点阵。
其他摘要	本发明提供一种基于MEMS微镜扫描的VCSEL单发光点光源系统，其包括：单发光点VCSEL激光器以及MEMS微镜；单发光点VCSEL激光器包括：背面电极、衬底层、外延层、正面电极，正面电极、外延层、衬底层、背面电极自上而下依次层叠设置，MEMS微镜位于单发光点VCSEL激光器的出射光路上，MEMS微镜包括：反射镜以及驱动反射镜转动的驱动机构，反射镜具有第一转轴以及第二转轴，第一转轴与第二转轴相垂直。本发明通过MEMS微镜将单发光点VCSEL激光器发射的光线进行反射，快速地以点阵的方式投射到物体上，实现物体的成像，其避免了设置密集的激光器点阵。
主权项	一种基于MEMS微镜扫描的VCSEL单发光点光源系统，其特征在于，所述VCSEL单发光点光源系统包括：单发光点VCSEL激光器以及MEMS微镜；所述单发光点VCSEL激光器包括：背面电极、衬底层、外延层、正面电极，所述正面电极、外延层、衬底层、背面电极自上而下依次层叠设置，所述MEMS微镜位于所述单发光点VCSEL激光器的出射光路上，所述MEMS微镜包括：反射镜以及驱动所述反射镜转动的驱动机构，所述反射镜具有第一转轴以及第二转轴，所述第一转轴与所述第二转轴相垂直。
申请日期	2019-05-10
专利号	CN109980502A
专利状态	申请中
申请号	CN201910389434
公开（公告）号	CN109980502A
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/00
专利代理人	杨淑霞
代理机构	苏州国诚专利代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55354
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	王俊,刘恒,谭少阳. 基于MEMS微镜扫描的VCSEL单发光点光源系统. CN109980502A[P]. 2019-07-05.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109980502A.PDF（321KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文