消除半导体激光器COMD的方法及半导体激光器

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	消除半导体激光器COMD的方法及半导体激光器
其他题名	消除半导体激光器COMD的方法及半导体激光器
	王俊; 李波; 程洋; 胡燚文
	2019-06-21
专利权人	苏州长光华芯光电技术有限公司
公开日期	2019-06-21
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种消除半导体激光器COMD的方法及半导体激光器，其中，消除半导体激光器COMD的方法包括如下步骤：在衬底上形成外延层；在外延层上形成非吸收窗口结构；在非吸收窗口结构处进行解理；在解理面上形成钝化层。采用本发明提供的消除半导体激光器COMD的方法，非吸收窗口结构禁带宽度大，不会吸收光子，且由于在非吸收窗口结构进行了真空解理镀膜钝化，因而非吸收窗口结构表面态密度也比较低，有效抑制了载流子的非辐射复合，因此，腔面位置的发热量极低，COMD得以被完全消除。并且，对非吸收窗口结构进行真空解理钝化时，即使真空度适度减小，在激光器工作状态下腔面位置的非辐射复合仍然可以忽略不计，不会影响激光器的COMD阈值。
其他摘要	本发明公开了一种消除半导体激光器COMD的方法及半导体激光器，其中，消除半导体激光器COMD的方法包括如下步骤：在衬底上形成外延层；在外延层上形成非吸收窗口结构；在非吸收窗口结构处进行解理；在解理面上形成钝化层。采用本发明提供的消除半导体激光器COMD的方法，非吸收窗口结构禁带宽度大，不会吸收光子，且由于在非吸收窗口结构进行了真空解理镀膜钝化，因而非吸收窗口结构表面态密度也比较低，有效抑制了载流子的非辐射复合，因此，腔面位置的发热量极低，COMD得以被完全消除。并且，对非吸收窗口结构进行真空解理钝化时，即使真空度适度减小，在激光器工作状态下腔面位置的非辐射复合仍然可以忽略不计，不会影响激光器的COMD阈值。
主权项	一种消除半导体激光器COMD的方法，其特征在于，包括如下步骤：在衬底上形成外延层；在所述外延层上形成非吸收窗口结构；在所述非吸收窗口结构处进行解理；在解理面上形成钝化层。
申请日期	2019-04-10
专利号	CN109921277A
专利状态	申请中
申请号	CN201910286023.6
公开（公告）号	CN109921277A
IPC 分类号	H01S5/02 \| H01S5/028
专利代理人	梁岩
代理机构	北京三聚阳光知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55330
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	苏州长光华芯光电技术有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	王俊,李波,程洋,等. 消除半导体激光器COMD的方法及半导体激光器. CN109921277A[P]. 2019-06-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109921277A.PDF（419KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文