用于制造半导体激光器的方法和半导体激光器

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	用于制造半导体激光器的方法和半导体激光器
其他题名	用于制造半导体激光器的方法和半导体激光器
	艾尔弗雷德·莱尔; 格奥尔格·布吕德尔; 约翰·布鲁克纳; 斯文·格哈德; 穆罕默德·阿利; 托马斯·阿德霍奇
	2019-06-14
专利权人	欧司朗光电半导体有限公司
公开日期	2019-06-14
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	提出一种用于制造半导体激光器(100)的方法，所述方法具有下述步骤：‑提供衬底(1)，所述衬底具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层设计和设置用于，在所述半导体激光器(100)运行时产生光(8)，‑将连贯的接触层(11)施加在所述衬底(1)的与所述半导体层序列(2)相对置的下侧(10)上，所述接触层具有至少一个第一子区域(12)和至少一个第二子区域(13)，‑仅在至少一个第一子区域(12)中局部热处理所述接触层(11)，尤其借助于基于激光器的辐照方法。此外，提出一种半导体激光器。
其他摘要	提出一种用于制造半导体激光器(100)的方法，所述方法具有下述步骤：‑提供衬底(1)，所述衬底具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层设计和设置用于，在所述半导体激光器(100)运行时产生光(8)，‑将连贯的接触层(11)施加在所述衬底(1)的与所述半导体层序列(2)相对置的下侧(10)上，所述接触层具有至少一个第一子区域(12)和至少一个第二子区域(13)，‑仅在至少一个第一子区域(12)中局部热处理所述接触层(11)，尤其借助于基于激光器的辐照方法。此外，提出一种半导体激光器。
主权项	一种用于制造半导体激光器(100)的方法，所述方法包括下述步骤： -提供衬底(1)，所述衬底具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层设计和设置用于，在所述半导体激光器(100)运行时产生光(8)， -将连贯的接触层(11)施加在所述衬底(1)的与所述半导体层序列(2)相对置的下侧(10)上，所述接触层具有至少一个第一子区域(12)和至少一个第二子区域(13)， -仅在至少一个第一子区域(12)中局部热处理所述接触层(11)。
申请日期	2017-10-25
专利号	CN109891691A
专利状态	申请中
申请号	CN201780067125.8
公开（公告）号	CN109891691A
IPC 分类号	H01S5/042 \| H01L21/268 \| H01L21/44
专利代理人	丁永凡 \| 周涛
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55303
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	欧司朗光电半导体有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	艾尔弗雷德·莱尔,格奥尔格·布吕德尔,约翰·布鲁克纳,等. 用于制造半导体激光器的方法和半导体激光器. CN109891691A[P]. 2019-06-14.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109891691A.PDF（2785KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文