一种垂直腔面发射激光器芯片及制作方法

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	一种垂直腔面发射激光器芯片及制作方法
其他题名	一种垂直腔面发射激光器芯片及制作方法
	刘凯; 罗俊伟; 位祺; 黄永清; 段晓峰; 王琦; 任晓敏; 蔡世伟
	2019-06-11
专利权人	北京邮电大学
公开日期	2019-06-11
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明实施例提供一种垂直腔面发射激光器芯片及制作方法，采用相应的第二多层材料膜反射镜层和金属反射镜层构成的组合反射镜作为VCSEL的非出光面(底面)反射镜，并且第二多层材料膜反射镜层的对数少于由第一多层材料膜反射镜层构成的VCSEL的(顶面)出光面反射镜的对数，第二多层材料膜反射镜层的反射率低于第一多层材料膜反射镜层的反射率。采用的上述组合反射镜代替了传统的垂直腔面发射激光器芯片第二包层下面的分布式布拉格反射镜构成的底面反射镜，可以在较少的材料膜反射镜层对数的情况下获得所需的高反射率，同时可以减少相应的材料应力和串联电阻，在减小器件制作工艺难度的情况下提升器件的性能。
其他摘要	本发明实施例提供一种垂直腔面发射激光器芯片及制作方法，采用相应的第二多层材料膜反射镜层和金属反射镜层构成的组合反射镜作为VCSEL的非出光面(底面)反射镜，并且第二多层材料膜反射镜层的对数少于由第一多层材料膜反射镜层构成的VCSEL的(顶面)出光面反射镜的对数，第二多层材料膜反射镜层的反射率低于第一多层材料膜反射镜层的反射率。采用的上述组合反射镜代替了传统的垂直腔面发射激光器芯片第二包层下面的分布式布拉格反射镜构成的底面反射镜，可以在较少的材料膜反射镜层对数的情况下获得所需的高反射率，同时可以减少相应的材料应力和串联电阻，在减小器件制作工艺难度的情况下提升器件的性能。
主权项	一种垂直腔面发射激光器芯片，其特征在于，包括在第二衬底上依次层叠的非出光面反射镜、第二包层、量子阱层或量子点层、第一包层、电流限制层、出光面反射镜和欧姆接触层；所述非出光面反射镜包括第二衬底上依次层叠的金属反射镜层和第二多层材料膜反射镜层；所述出光面反射镜包括在所述电流限制层上层叠的第一多层材料膜反射镜层；且所述第二多层材料膜反射镜层的对数少于所述第一多层材料膜反射镜层的对数，所述第二多层材料膜反射镜层的反射率低于所述第一多层材料膜反射镜层的反射率；所述第一多层材料膜反射镜层和/或所述第二多层材料膜反射镜层为插入相位优化层的多层材料膜反射镜结构。
申请日期	2019-03-26
专利号	CN109873296A
专利状态	申请中
申请号	CN201910234625.7
公开（公告）号	CN109873296A
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/343
专利代理人	王庆龙 \| 苗晓静
代理机构	北京路浩知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55295
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京邮电大学
推荐引用方式 GB/T 7714	刘凯,罗俊伟,位祺,等. 一种垂直腔面发射激光器芯片及制作方法. CN109873296A[P]. 2019-06-11.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109873296A.PDF（650KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文