一种GaN基垂直腔面发射激光器及其制备方法

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	一种GaN基垂直腔面发射激光器及其制备方法
其他题名	一种GaN基垂直腔面发射激光器及其制备方法
	张宇; 魏斌
	2019-06-11
专利权人	山东大学
公开日期	2019-06-11
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种GaN基垂直腔面发射激光器及其制备方法，属于光电子领域，包括导电衬底，导电衬底上制作有金属层，金属层上窗口处制作有介质DBR层，介质DBR层上制作有透明导电层，透明导电层上依次制作有p型半导体层、多量子阱有源层和n型半导体层，n型半导体层上表面生长制备有多孔导电DBR层，多孔导电DBR层上表面制作有绝缘介质层，绝缘介质层覆盖多孔导电DBR层、n型半导体层、多量子阱有源层、p型半导体层以及透明导电层，绝缘介质层上表面制作有n电极。本发明通过金属键合技术将外延结构转移到导电性较好的衬底上，并采用电化学腐蚀形成多孔GaN导电DBR结构，增加器件可工作的电流密度，提高光电性能。
其他摘要	本发明涉及一种GaN基垂直腔面发射激光器及其制备方法，属于光电子领域，包括导电衬底，导电衬底上制作有金属层，金属层上窗口处制作有介质DBR层，介质DBR层上制作有透明导电层，透明导电层上依次制作有p型半导体层、多量子阱有源层和n型半导体层，n型半导体层上表面生长制备有多孔导电DBR层，多孔导电DBR层上表面制作有绝缘介质层，绝缘介质层覆盖多孔导电DBR层、n型半导体层、多量子阱有源层、p型半导体层以及透明导电层，绝缘介质层上表面制作有n电极。本发明通过金属键合技术将外延结构转移到导电性较好的衬底上，并采用电化学腐蚀形成多孔GaN导电DBR结构，增加器件可工作的电流密度，提高光电性能。
主权项	一种GaN基垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括导电衬底，所述导电衬底上表面制作有金属层，金属层的上表面中间设置有窗口，所述金属层上表面中间部分窗口处制作有介质DBR层，所述介质DBR层上表面制作有透明导电层，所述透明导电层覆盖介质DBR层和金属层；所述透明导电层上表面依次制作有p型半导体层、多量子阱有源层和n型半导体层，所述n型半导体层上表面生长制备有多孔导电DBR层，所述多孔导电DBR层上表面制作有绝缘介质层，且绝缘介质层的中间形成电流窗口，所述绝缘介质层覆盖多孔导电DBR层、n型半导体层、多量子阱有源层、p型半导体层以及透明导电层，所述绝缘介质层上表面制作有n电极，所述n电极覆盖部分多孔导电DBR层和部分绝缘介质层。
申请日期	2019-04-26
专利号	CN109873297A
专利状态	申请中
申请号	CN201910342984.4
公开（公告）号	CN109873297A
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/187
专利代理人	赵龙群
代理机构	济南金迪知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55291
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	山东大学
推荐引用方式 GB/T 7714	张宇,魏斌. 一种GaN基垂直腔面发射激光器及其制备方法. CN109873297A[P]. 2019-06-11.

条目包含的文件
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CN109873297A.PDF（564KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文