基于VCSEL的轨道角动量复用器件及其制备方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	基于VCSEL的轨道角动量复用器件及其制备方法
其他题名	基于VCSEL的轨道角动量复用器件及其制备方法
	余思远; 孙雅琪; 朱国轩; 喻颖; 刘洁
	2019-06-07
专利权人	中山大学
公开日期	2019-06-07
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及光电元件及器件技术领域，提出一种基于VCSEL的轨道角动量复用器件，包括垂直腔表面发射激光器、氮化硅相位层、金属遮挡层、P面电极和N面电极；其中垂直腔表面发射激光器上以中心点为圆心由内向外依次刻蚀有圆柱、第一外环和第二外环结构；氮化硅相位层设置在圆柱结构的上表面，占圆柱上表面的二分之一面积；金属遮挡层设置在第一外环的上表面和第二外环的上表面并刻蚀为金属光栅结构；P面电极和N面电极设置在垂直腔表面发射激光器上。本发明还提出所述复用器件的制备方法，且所述复用器件能够实现同轴独立调制高纯度的1、2、3阶OAM光束，实现OAM光束的同轴集成，且该复用器件的制作成本低廉，制备工艺简单。
其他摘要	本发明涉及光电元件及器件技术领域，提出一种基于VCSEL的轨道角动量复用器件，包括垂直腔表面发射激光器、氮化硅相位层、金属遮挡层、P面电极和N面电极；其中垂直腔表面发射激光器上以中心点为圆心由内向外依次刻蚀有圆柱、第一外环和第二外环结构；氮化硅相位层设置在圆柱结构的上表面，占圆柱上表面的二分之一面积；金属遮挡层设置在第一外环的上表面和第二外环的上表面并刻蚀为金属光栅结构；P面电极和N面电极设置在垂直腔表面发射激光器上。本发明还提出所述复用器件的制备方法，且所述复用器件能够实现同轴独立调制高纯度的1、2、3阶OAM光束，实现OAM光束的同轴集成，且该复用器件的制作成本低廉，制备工艺简单。
主权项	基于VCSEL的轨道角动量复用器件，其特征在于：包括垂直腔表面发射激光器、氮化硅相位层、金属遮挡层、P面电极和N面电极；其中所述垂直腔表面发射激光器上以中心点为圆心由内向外依次刻蚀有圆柱、第一外环和第二外环结构；所述氮化硅相位层设置在圆柱结构的上表面，且氮化硅相位层占圆柱上表面的二分之一面积；所述金属遮挡层设置在第一外环的上表面和第二外环的上表面并刻蚀为金属光栅结构；所述P面电极和N面电极设置在垂直腔表面发射激光器上。
申请日期	2019-01-28
专利号	CN109861077A
专利状态	申请中
申请号	CN201910081102.3
公开（公告）号	CN109861077A
IPC 分类号	H01S5/183
专利代理人	林丽明
代理机构	广州粤高专利商标代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55282
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中山大学
推荐引用方式 GB/T 7714	余思远,孙雅琪,朱国轩,等. 基于VCSEL的轨道角动量复用器件及其制备方法. CN109861077A[P]. 2019-06-07.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109861077A.PDF（650KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文